Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: symulacja charakterystyk I-V

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie charakterystyk I-V tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)

Stęszewski J., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 2-3

25-25

Za pomocą oprogramowania Silvaco Atlas, na podstawie dostępnych parametrów materiałowych, dokonano symulacji charakterystyk statycznych tranzystorów MOS na podłożu z dwóch heksagonalnych odmian węglika krzemu: 4H oraz 6H.

Static l-V characteristics of 4H- and 6H- MOSFETs (based on available silicon carbide material properties) were simulated using Silvaco Atlas software.