Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: switching power losses

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 1

205--208

W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania prostownika synchronicznego w rezonansowym zasilaczu impulsowym. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET oraz diod Schottky’ego. Zredukowano straty wynikające z przewodzenia oraz straty przełączeniowe.

Modern transistors made with gallium nitride in the application of synchronous rectifier in resonant switching mode power supply are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs and Schottky diodes are shown. Conduction and switching power losses are significantly reduced.

Przekształtniki energoelektroniczne z elementami z węglika krzemu

Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 6

7-12

Dzięki wysokiej dopuszczalnej wartości napięć wstecznych diody Schottkyego z węglika krzemu mogą znaleźć zastosowanie jako diody zwrotne w typowych układach energoelektronicznych. W celu porównania właściwości ultraszybkich standardowych diod krzemowych PiN i diod Schottkyego z węglika krzemu opracowano model symulacyjny trójfazowego przekształtnika PWM zawierającego łączniki złożone z tranzystorów IGBT i diod zwrotnych. Badania symulacyjne ukierunkowano na wyznaczenie strat mocy wydzielanych w łącznikach w przypadku, gdy dioda zwrotna jest wykonana z krzemu lub z węglika krzemu. Wyniki obliczeń wskazują, że całkowita moc strat we wszystkich łącznikach jest mniejsza w przypadku zastosowania diod Schottkyego z węglika krzemu. Wykonano model laboratoryjny trójfazowego przekształtnika PWM o mocy 5 kVA przeznaczony do badań eksperymentalnych w celu pomiaru i porównania całkowitej mocy strat w przypadku zastosowania w układzie diod krzemowych i z węglika krzemu. Zbudowany przekształtnik jest przewidziany do połączenia z siecią 3 x 400 V/50 Hz i może pełnić funkcją prostownika, kompensatora a także falownika (przekazywanie energii do sieci).

Thanks to high reverse voltage, the silicon carbide Schottky Barrier Diode can be applied as anti-parallel diode in a two-switch leg being the most popular PWM converter sub-circuit. In order to compare the standard ultrafast silicon PiN diode and silicon-carbide Schottky Barrier Diode, the simulation model of three phase PWM converter consisting of IGBT and diodes was investigated. Simulations were carried out to calculate the power losses in two cases: firstly, if the anti-parallel diode is mad e with silicon, and secondly, if the diode is made of silicon carbide. The results obtained by simulations confirm that the total power losses in all switches are smaller when the silicon-carbide Schottky Barrier diodes are used. The experimental 5 kVA three phase PWM converter was built to prove and compare by laboratory measurement the total power in the cases when the silicon and silicon carbide diodes are used. The converter is designed for standard line voltages (3 x 400 V/50 Hz) and is capable to work as rectifier, compensator or inverter (i.e. drawing energy to the line).