Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: switching characteristics

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semiconductors

Vorobey R. I., Gusev O. K., Tyavlovsky K. L., Svistun A. I., Shadurskaya L. I., Yarzhembitskaya N. V., Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 8

81--85

The features of photovoltaic cells with their own photoconductivity in semiconductors with deep-level multiply-charge impurity have been considered. The use of such structures can significantly extend the dynamic range of sensitivity and gain new functional properties of single-element photoelectric receivers. Photovoltaic converters based on semiconductors with deep-level multiply-charge acceptor type impurity enable devices with a wider functionality, whereas the structure with multiply-charge donor type impurity has better linearity of energy performance. In the development of photoelectric receiver with advanced functionality features the model of recombination processes in multiply-charge impurity in a wide range of optical radiation power density has been used.

W pracy przedstawiono właściwości fotoelektrycznych przetworników z samoistną foto przewodnością na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką. Wykorzystanie takich struktur pozwala w sposób istotny rozszerzyć zakres dynamicznej czułości i otrzymać nowe funkcjonalne właściwości fotodetektorów. Przetworniki fotoelektryczne na bazie półprzewodników z głęboką wieloładunkową domieszką typu akceptorowego pozwalją zbudować urządzenia o szerszej funkcjonalności, a struktury z wieloładunkową domieszką typu donorowego mają lepszą liniowość charakterystyki energetycznej. Przy projektowaniu foto odbiorników z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami wykorzystano model rekombinacyjnych procesów na wieloładunkowej domieszce w szerokiej skali gęstości mocy promieniowania optycznego.

Analiza wpływu temperatury na właściwości impulsowe diod Schottky'ego mocy

Zarębski J., Dąbrowski J., Bisewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 2

18-20

Praca dotyczy problematyki modelowania w programie SPICE wpływu temperatury na zależność pojemności złączowej diody od napięcia polaryzacji oraz charakterystyk wyłączania diod Schottky'ego mocy. Dokonano oceny dokładności modelu diody wbudowanego w tym programie przez porównanie wyników symulacji z wynikami pomiarów krzemowej diody Schottky'ego oraz diody Schottky'ego z węglika krzemu, przeprowadzonych w szerokim zakresie zmian temperatury otoczenia. Zaproponowano nowe zależności opisujące wpływ temperatury na wybrane parametry rozważanego modelu diody oraz zmodyfikowano ich wartości biblioteczne, w wyniku czego uzyskano znaczną poprawę zgodności wyników obliczeń i pomiarów charakterystyk rozważanych elementów.

In the paper the usefulness of the SPICE built-in diode model in modelling dynamic properties of the Si and SiC Schottky diodes, is investigated. The quality of Schottky diodes modelling is estimated by measurements. Due to the unacceptably differences between measurements and calculations performed by SPICE with the use of the available library parameter original values, some modifications of the model have been proposed.