PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  surface states
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Metody pasywacji nowoczesnych struktur detektorów podczerwieni
Papis-Polakowska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 1
10--17
PL
Technologia nowoczesnych detektorów, opartych na antymonkowych supersieciach wymaga specjalnego podejścia. Z jednej strony, podyktowane jest to ich wyrafinowaną konstrukcją, z drugiej, wynika ze specyfiki chemicznej natury półprzewodników III-V, w szczególności ich oddziaływania z tlenem. W odniesieniu do materiałów antymonkowych, pasywacja, zarówno w rozumieniu poprawy morfologii powierzchni, usunięcia tlenków resztkowych, jak i zredukowania gęstości stanów powierzchniowych, jest niezbędna i stanowi zasadniczy temat artykułu. Przedstawiono przegląd stosowanych metod i technik pasywacji detektorowych struktur supersieciowych, głównie w aspekcie ich fizyczno-chemicznego działania, a także rezultaty prac prowadzonych w tym zakresie w ITE.
EN
The modern type-II superlattice InAs/GaSb-based photodetectors require the special technological approach. This is due to both the specific reaction of GaSb and related compounds with oxygen as well as sophisticated thin strained-layer construction of IR detectors. In particular, an abrupt termination of tetrahedral GaSb and InAs crystal lattices along a given plane to form a surface leads to the formation of native oxides, and the traps at the oxide/semiconductor interface. These traps introduce energy states within the semiconductor energy gap, resulting in the Fermi level being pinned near midgap, thereby increasing the surface leakage current. Thus, in order to eliminate these problems and improve overall device performance the surface passivation is absolutely necessary. The review of the different passivation methods and techniques has been presented. The results of the research on the type-II InAs/GaSb infrared photodetectors carried out in ITE are presented as well.
2
Content available Identification of the Volume and Surface Type Absorption by the Nondestructive Photoacoustic Method
Maliński M. A., Chrobak Ł. B.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2012
|
Nr 4
5--14
EN
This paper presents experimental and theoretical amplitude and phase photoacoustic spectra of the mixed crystal ZnBeMgSe. The experimental photoacoustic spectra with the microphone detection were analyzed in a surface and volume absorption model. This paper proves that it is not possible to draw conclusions about the character of the absorption i.e. volume or surface only from the amplitude or phase photoacoustic spectra. It is possible to identify the character of the absorption only from the amplitude and phase photoacoustic spectra together.
PL
W artykule przedstawiono eksperymentalne i teoretyczne fotoakustyczne widma amplitudowe i fazowe kryształu ZnBeMgSe. Eksperymentalne widma fotoakustyczne uzyskane przy zastosowaniu detekcji mikrofonowej zostały zinterpretowane w modelu absorpcji objętościowej i powierzchniowej. Artykuł dowodzi, że nie jest możliwe wyciągnięcie wniosków odnośnie optycznej absorpcji objętościowej i powierzchniowej tylko z charakteru fotoakustycznego widma amplitudowego lub fazowego. Możliwe jest to przy jednoczesnej interpretacji zarówno fotoakustycznego widma amplitudowego jak i fazowego.
3
Content available remote Photocarrier transport in 2D macroporous silicon structures
Karachevtseva L., Onyshchenko V., Sachenko A.
Opto-Electronics Review
|
2010
|
Vol. 18, No. 4
394-399
EN
The mechanisms of photocarrier transport through a barrier in the surface space-charge region (SCR) of 2D macroporous silicon structures have been studied at photon energies comparable to that of the silicon indirect band-to-band transition. It was found that the photoconductivity relaxation time was determined by the light modulation of barrier on the macropore surface; as a result, the relaxation itself obeyed the logarithmic law. The temperature dependence of the photoconductivity relaxation time was determined by the thermionic emission mechanism of the current transport in the SCR at temperatures T > 180 K, and by the tunnel current flow at T < 100 K, with temperature-independent tunnelling probability. The photo-emf was found to become saturated or reverse its sign to negative at temperatures below 130 K because of light absorption due to optical transitions via surface electronic states close to the silicon conduction band. In this case, the surface band bending increases due to the growth of a negative charge of the semiconductor surface. The equilibrium electrons in the bulk and photoexcited holes on the macropore surface recombine through the channel of multistage tunnel recombination between the conduction and valence bands.
4
Content available remote High-sensitivity NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers
Wierzbowska K., Adamowicz B., Mazet L., Brunet J., Pauly A., Bideux L., Varenne C., Berry L., Germain J. P.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
655-662
EN
The structure and sensing properties of a novel resistive NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers have been presented. The studies of sensor resistance changes due to adsorbed gas NO2 under exposures in the range from 20 to 100 ppb at a temperature of 80°C were performed. The thickness of the active InP layer changed from 0.2 to 0.4 um. The response time and signal stability were also investigated. Furthermore, the influence of surface states and near-surface region on sensor parameters in terms of the resistance relative changes was shown from numerical simulations. The analysis of the measured photoelectron spectroscopy (XPS) spectra confirmed the complex chemical composition of the InP oxides, which gives rise to the high density of surface states.
5
Content available remote High resolution photoemission yield study of the GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen
Tomkiewicz P., Kościelniak P., Girycki A., Szuber J.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 3
385-391
EN
High-resolution photoemission yield spectroscopy (PYS) has been used to study the electronic properties of space charge layer of the real GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen. The ionization energy, work function and interface Fermi level position were determined as a function of hydrogen dose. Moreover, the evolution of effective density of filled electronic states localized in the band gap and in the upper part of the valence band was observed. Our experiments showed that for the hydrogen dose up to 10 4 L H 2 the contamination etching stage occurs for which the interface Fermi level position E
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.