Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Surface acoustic wave low insertion loss delay line for applications in sensors

Soluch W.

Materiały Elektroniczne

|

2016

|

T. 44, nr 1

4--6

EN

It was shown that low insertion loss of a surface acoustic wave (SAW) delay line could be achieved when strong triple transit signals (TTS) are present. As an example, low insertion loss delay line on YZ LiNbO3, was developed. Double electrodes were used in interdigital transducers (IDTs) and in a screen. At a frequency of 62 MHz, insertion loss of about 8 dB, was obtained. Low insertion loss and narrow bandwidth make this SAW delay line attractive for applications in physical and gas sensors.

PL

Wykazano, że mała tłumienność wtrącenia linii opóźniającej z akustyczną falą powierzchniową (AFP) jest możliwa do uzyskania, gdy występuje silny sygnał trzeciego echa (STE). Jako przykład, opracowana została linia opóźniająca na podłożu YZ LiNbO3. W przetwornikach międzypalczastych i w ekranie zastosowano podwójne elektrody. Na częstotliwości 62 MHz uzyskano tłumienność wtrącenia około 8 dB. Mała tłumienność wtrącenia i wąskie pasmo czynią tę linię atrakcyjną do zastosowań w czujnikach fizycznych i gazowych.

2

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura J., Brzozowski E., Łysakowska M.

Materiały Elektroniczne

|

2015

|

T. 43, nr 3

4--6

EN

The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.

PL

Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.

3

Wyznaczenie wybranych parametrów piezoelektrycznych kryształu SrLaGa3O7

Sadura J., Brzozowski E., Wieteska K., Wierzchowski W.

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 2

3--8

PL

W pracy wyznaczono parametry piezoelektryczne monokryształu SrLaGa3O7 (SLGO) otrzymanego w ITME metodą Czochralskiego, należącego podobnie jak BaLaGa3O7 (BLGO) do grupy związków chemicznych opisanych ogólnym wzorem ABC3O7 (gdzie A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al ). Pomiary i obliczenia przeprowadzono dla różnych orientacji kryształu, lepsze właściwości piezoelektryczne (najwyższy współczynnik sprzężenia elektromechanicznego K2) wykazały płytki o orientacji 45°XZ oraz ZX40°. Przeprowadzone badania termiczne potwierdziły możliwość wykorzystania tego piezoelektryka jako podłoża podzespołu wysokotemperaturowego. Zastosowana metoda badawczo – pomiarowa pozwala na szybkie szacowanie parametrów kryształu, jak również jego przydatności jako materiału piezoelektrycznego do zastosowań w podzespołach z AFP.

EN

This paper presents the piezoelectric properties of the SrLaGa3O7 (SLGO) crystal grown at ITME using the conventional RF-heating Czochralski method. SLGO, just like BaLaGa3O7 (BLGO), belongs to the group of compounds described by the general formula ABC3O7 (where A = Ca, Sr, Ba; B = La, Gd; C = Ga, Al). Measurements and calculation of SAW parameters were made for different crystal plane orientations. Better piezoelectric parameters were found in 45°XZ and ZX40° orientations of SLGO. The thermal study confirmed the possibility of using this crystal as a high-temperature component base. The applied research and measurement method allows a quick estimation of the parameters of the crystal, as well as evaluation of its usefulness as a piezoelectric material for application in SAW components.

4

Zaawansowane technologie układów akustoelektronicznych

Kawalec A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

245-248

PL

W pracy przedstawiono zastosowania podzespołów z akustyczną falą powierzchniową dla przetwarzania sygnałów. Uwzględniając wyniki otrzymane z analizy teoretycznej przedstawiono wyniki syntezy filtru pasmowego i linii dyspersyjnej stosowanej dla przetwarzania radiolokacyjnych sygnałów złożonych. Praca zawiera również analizę generatorów bazujących na linii opóźniającej z akustyczną falą powierzchniową dla potrzeb pomiarowych wielkości fizycznych, takich jak siła i przyspieszenie.

EN

The selected applications of the surface acoustic wave devices in the area of the signal processing are presented. The analysis of the surface acoustic wave (SAW) filter is described in the paper. In the analysis based on the spectral theory is taken into account. The synthesis of the dispersive line based on the theoretical analysis results is presented. The experimental characteristics for the quartz based dispersive line as an application for the radar signal processing is demonstrated. SAW oscillator is described as well.

5

Wybrane problemy konstrukcji głowic wieloczujnikowych jako bazy dla akustoelektronicznego nosa

Pasternak M., Jasek K.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

|

2007

|

Vol. 56, nr sp.2

325-331

PL

Idea działania akustoelektronicznych nosów oparta jest o analizę danych pochodzących z wielu czujników z akustycznymi falami objętościowymi (tzw. mikrowagi kwarcowe) lub powierzchniowymi, pozwalającą wyznaczyć unikatowy histogram charakteryzujący konkretną mieszaninę gazów. Zależnie od przeznaczenia, układ taki realizowany jest zwykle w postaci macierzy zawierającej od kilku do kilkudziesięciu czujników. Aczkolwiek każdy z nich posiada pewną czułość skrośną (tj. reaguje także na inne niż pożądana substancje chemiczne), to jednak synergiczna odpowiedź całej macierzy umożliwia dostatecznie precyzyjne rozróżnienie wykrywanych w mieszaninie gazów związków chemicznych, zarówno pod względem ich obecności, jak i stężenia. W pracy zaprezentowany został laboratoryjny model czterokanałowej głowicy zawierającej detektory gazów z akustyczną falą powierzchniową (AFP) w układzie szeregowym, przeznaczonej do jednoczesnego testowania czterech różnych warstw chemoczułych. Sposób zaprojektowania głowicy umożliwia jej rozbudowę oraz miniaturyzację.

EN

Some problems of the construction of multisensors head as a base for electronic nose have been presented in the paper. The working laboratory model of the four-channel head with surface acoustic wave (SAW) gas sensors and the result of exemplary stability test were described. The head presented here may be developed, in comparatively easy way, as well as it may be miniaturized.

6

Generacyjny układ różnicowy do czujników gazowych z rezonatorami z akustyczną falą powierzchniową

Wróbel T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 6

47-49

PL

Przedstawiono właściwości opracowanego generacyjnego układu różnicowego przeznaczonego do rejestracji odpowiedzi gazowych czujników opartych na rezonatorach z akustyczną falą powierzchniową (AFP) o częstotliwości rezonansowej około 303 MHz. Stabilność częstotliwościowa w czasie 1 h nie przekracza š0,5 ppm, a napięcie wyjściowe o częstotliwości różnicowej wynosi - 0,35 V. Układ może funkcjonować w zakresie częstotliwości 100...500 MHz.

EN

Properties of a developed differential oscillator system for gas sensors with surface acoustic wave (SAW) resonators, are presented. At a frequency of about 303 MHz, frequency stability after 1 h is less than š 0.5 ppm, and the output voltage is about 0.35 V. This system can operate in a frequency range from about 100 MHz to 500 MHz.