Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: supersieci GaMnAs/GaAs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Ferromagnetyzm cienkich warstw i supersieci GaMnAs/GaAs

Sadowski J., Kanski J., Karlsteen M., Svedlindh P., Mathieu R., Domagała J. Z., Bąk-Misiuk J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 8-9

7-11

GaMnAs is a semiconductor exhibiting low temperature (below 110 K) ferromagnetic phase transition caused by interactions of carriers (holes) with Mn spins. The paper presents properties of thin GaMnAs layers with Mn conaAs spacer. This dependence is presented for structures with two different thickness of GaMnAs layers - 12 and 16 molecular layers (34 Å and 45 Å). In both cases the ferromagnetism in GaMnAs/GaAs superlattice structures was not observed ofor GaAs spacer layer thickness bigger than 9 molecular layers (25 A). This is tentatively explained by the thickness dependent profile of concentration of carriers (holes) in GaMnAs.