Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: supersieć InAs/GaSb

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Samoorganizujące się warstwy organiczne – badania nad zastosowaniem do pasywacji antymonkowych detektorów podczerwieni

Papis-Polakowska Ewa, Czuba Krzysztof, Runka Tomasz, Martyński Tomasz, Makowiecki Jarosław, Jasik Agata

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 9

119--122

W artykule, przedstawiono wyniki mikroskopii sił atomowych (AFM), spektroskopii Ramana i analizy kąta zwilżania samoorganizującej się warstwy oktadekanotiolu (ODT) na powierzchni (100) GaSb. Warstwę ODT otrzymaną zanurzeniowo z roztworu 10 mM ODT-C2H5OH, zastosowano jako pierwszy etap dwustopniowej pasywacji, który połączony z drugim etapem polegającym na osadzaniu warstwy SiO2, poprawił znacząco parametry elektryczne detektora podczerwieni wykonanego z supersieci II-rodzaju InAs/GaSb.

The paper presents the results of the AFM, Raman spectroscopy and the contact angle analysis obtained for the self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface. The ODT monolayer created from the 10 mM ODT-C2H5OH solution, together with additionally deposited SiO2 layer, were successfully used as the two-step passivation of the II-type superlattice InAs/GaSb infrared photodetector.

Wykrywalność detektorów średniej podczerwieni wykonanych z supersieci InAs/GaSb

Ciura Ł., Kolek A., Czuba K., Jureńczyk J., Jasik A., Sankowska I., Kaniewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 9

10--13

W artykule rozważono wpływ różnych typów szumów na wykrywalność detektora średniej podczerwieni wykonanego z supersieci InAs/GaSb. W rozważaniach uwzględniono wpływ układów polaryzacji i wzmacniania sygnału oraz różne rodzaje szumów występujące w detektorze. Wykrywalność detektora wyznaczono z uwzględnieniem szumu 1/f, szumu układu wzmacniania, szumu śrutowego i termicznego.

This paper concerns the influence of various noise mechanisms on detectivity of midwavelength infrared detectors made of InAs/GaSb superlattice. Measurements and amplifying setup of the signal was been shown. The article provide basic characterization of the noise types which occur in infrared detectors. The real detectivity of the detector was been calculated taking into account various noise: 1/f noise, amplifying system noise, thermal noise, and finally shot noise.

Metody pasywacji nowoczesnych struktur detektorów podczerwieni

Papis-Polakowska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 1

10--17

Technologia nowoczesnych detektorów, opartych na antymonkowych supersieciach wymaga specjalnego podejścia. Z jednej strony, podyktowane jest to ich wyrafinowaną konstrukcją, z drugiej, wynika ze specyfiki chemicznej natury półprzewodników III-V, w szczególności ich oddziaływania z tlenem. W odniesieniu do materiałów antymonkowych, pasywacja, zarówno w rozumieniu poprawy morfologii powierzchni, usunięcia tlenków resztkowych, jak i zredukowania gęstości stanów powierzchniowych, jest niezbędna i stanowi zasadniczy temat artykułu. Przedstawiono przegląd stosowanych metod i technik pasywacji detektorowych struktur supersieciowych, głównie w aspekcie ich fizyczno-chemicznego działania, a także rezultaty prac prowadzonych w tym zakresie w ITE.

The modern type-II superlattice InAs/GaSb-based photodetectors require the special technological approach. This is due to both the specific reaction of GaSb and related compounds with oxygen as well as sophisticated thin strained-layer construction of IR detectors. In particular, an abrupt termination of tetrahedral GaSb and InAs crystal lattices along a given plane to form a surface leads to the formation of native oxides, and the traps at the oxide/semiconductor interface. These traps introduce energy states within the semiconductor energy gap, resulting in the Fermi level being pinned near midgap, thereby increasing the surface leakage current. Thus, in order to eliminate these problems and improve overall device performance the surface passivation is absolutely necessary. The review of the different passivation methods and techniques has been presented. The results of the research on the type-II InAs/GaSb infrared photodetectors carried out in ITE are presented as well.