PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  superlattice InAs/GaSb
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Samoorganizujące się warstwy organiczne – badania nad zastosowaniem do pasywacji antymonkowych detektorów podczerwieni
Papis-Polakowska Ewa, Czuba Krzysztof, Runka Tomasz, Martyński Tomasz, Makowiecki Jarosław, Jasik Agata
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
119--122
PL
W artykule, przedstawiono wyniki mikroskopii sił atomowych (AFM), spektroskopii Ramana i analizy kąta zwilżania samoorganizującej się warstwy oktadekanotiolu (ODT) na powierzchni (100) GaSb. Warstwę ODT otrzymaną zanurzeniowo z roztworu 10 mM ODT-C2H5OH, zastosowano jako pierwszy etap dwustopniowej pasywacji, który połączony z drugim etapem polegającym na osadzaniu warstwy SiO2, poprawił znacząco parametry elektryczne detektora podczerwieni wykonanego z supersieci II-rodzaju InAs/GaSb.
EN
The paper presents the results of the AFM, Raman spectroscopy and the contact angle analysis obtained for the self-assembled octadecanethiol (ODT) monolayer on the (100) GaSb surface. The ODT monolayer created from the 10 mM ODT-C2H5OH solution, together with additionally deposited SiO2 layer, were successfully used as the two-step passivation of the II-type superlattice InAs/GaSb infrared photodetector.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.