Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2022

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: substhreshold leakage

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Design of 8T SRAM using 14nm FINFET Technology

Vemula Panduranga, Dhar Rudra Sankar

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 10

40--43

FinFETs are superior to CMOS because of their low power consumption and ability to function at low voltage. The power consumption of today's digital systems has grown due to an exponential increase in transistor count. Furthermore, due to short channel effects, the performance of typical CMOS devices degrades at lower technology nodes. In sub-14 nm technology, FinFETs have greater control over a gate and outperform CMOS designs. FinFET devices feature a greater Ion current and better extensibility than typical CMOS devices. The quasi planar FinFET structure's simple production technique drew a lot of attention. Static leakage current is decreased by up to 90%, and it is more compact. Because of its area of performance, reduced leakage power, intra-die variability, and lower retention voltages, it is employed more than other FETs in SRAM cell design. In this work, an 8-bit SRAM is built and made in FinFET 14nm, the time delay for read and write operations are computed, as well as the leakage power for the design, and the performance is compared to existing technology.

FinFET są lepsze od CMOS ze względu na niski pobór mocy i zdolność do pracy przy niskim napięciu. Zużycie energii przez dzisiejsze systemy cyfrowe wzrosło z powodu wykładniczego wzrostu liczby tranzystorów. Ponadto, ze względu na efekty krótkich kanałów, wydajność typowych urządzeń CMOS spada w węzłach o niższej technologii. W technologii poniżej 14 nm FinFET mają większą kontrolę nad bramką i przewyższają konstrukcje CMOS. Urządzenia FinFET charakteryzują się większym prądem jonów i lepszą rozciągliwością niż typowe urządzenia CMOS. Prosta technika produkcji quasi-planarnej struktury FinFET przyciągnęła wiele uwagi. Statyczny prąd upływu jest zmniejszony nawet o 90% i jest bardziej kompaktowy. Ze względu na swój obszar działania, zmniejszoną moc upływu, zmienność wewnątrz matrycy i niższe napięcia retencji, jest on stosowany częściej niż inne tranzystory FET w projektowaniu ogniw SRAM. W tej pracy zbudowano i wykonano 8-bitową pamięć SRAM w technologii FinFET 14nm, oblicza się opóźnienie czasowe dla operacji odczytu i zapisu, a także moc upływu dla projektu, a wydajność porównuje się z istniejącą technologią.