PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  suboptimum operation
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Uproszczona metoda obliczania warunków pracy tranzystorów w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE
Modzelewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 3
53-58
PL
W artykule przedstawiono praktyczną metodę projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE wykorzystującą równania stanowiące uproszczony model matematyczny tego wzmacniacza w warunkach optymalnych i suboptymalnych. Równania te zostały wyprowadzone przy założeniu sinusoidalnego prądu w wyjściowym szeregowym obwodzie rezonansowym i modelu tranzystorów mocy w postaci idealnych kluczy. Te równania pozwalają obliczyć amplitudę i fazę prądu wyjściowego, czas martwy i wartość szczytową prądu drenu oraz kąt impedancji wyjściowego szeregowego obwodu rezonansowego. Indukcyjność i pojemność tego obwodu mogą być obliczone przy założeniu wartości jego dobrociwypadkowej. Przedstawiono przykłady zastosowania proponowanej metody do projektowania wzmacniaczy klasy DE pracujących w warunkach optymalnych i suboptymalnych.
EN
In the paper a useful design method of Class-DE tuned power amplifiers based on simplified equations modeling the optimum and sub-optimum operation of this amplifier is presented. The equations have been derived assuming the sinusoidal current in the output series-resonant circuit and power transistors modeled by the ideal switches. These equations allow to calculate amplitude and phase of the output current, dead time and peak value of the drain current, and impedance angle of the output series-resonant circuit. Inductance and capacitance of this circuit can be calculate for assumed value of its loaded quality factor. Examples of designing the Class-DE amplifiers operating in the optimum and in the sub-optimum conditions are presented.
2
Content available remote Wzmacniacze mocy klasy DE w układzie modulacji amplitudy metodą modulacji fazy
Modzelewski J
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
68-71
PL
Modulację amplitudy można zrealizować sumując dwa sygnały o takich samych amplitudach i częstotliwościach, których różnica faz jest sterowana przez sygnał modulujący. W pracy wykazano, iż w takim modulatorze z bezpośrednim sumowaniem prądów wyjściowych z dwóch rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy DE możliwe jest spełnienie warunków ZVS w obu wzmacniaczach dla wszystkich wartości napięcia wyjściowego modulatora. Dzięki temu uzyskuje się wysoką sprawność energetyczną modulatora i ograniczoną stromość napięcia dren-źródło tranzystorów.
EN
In the ampliphase modulator the amplitude modulation is obtained by combining two HF signals with the same amplitude and frequency, the phase difference of which is controlled by an LF input signal. In the paper it has been proven that in the ampliphase modulator with two Class-DE amplifiers, the output currents of which are directly added, the ZVS condition can be satisfied in both amplifiers for all values of the modulator output voltage. Thus, the efficiency of the ampliphase modulator is high and the rate of the drain-source voltage of the power transistors is limited.
3
Content available High-Frequency Power Amplitude Modulators with Class-E Tuned Amplifiers
Modzelewski J., Mikołajewski M.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2008
|
nr 4
79-86
EN
A high-frequency power amplifier used in a drain amplitude modulator must have linear dependence of output HF voltage Vo versus its supply voltage VDD. This condition essential for obtaining low-level envelope distortions is met by a theoretical class-E amplifier with a linear shunt capacitance of the switch. In this paper the influence of non-linear output capacitance of the transistor in the class-E amplifier on its Vo(VDD) characteristic is analyzed using PSPICE simulations of the amplifiers operating at frequencies 0.5 MHz, 5 MHz and 7 MHz. These simulations have proven that distortions of theVo(VDD) characteristic caused by non-linear output capacitance of the transistor are only slight for all analyzed amplifiers, even for the 7 MHz amplifier without the external (linear) shunt capacitance. In contrast, the decrease of power efficiency of the class-E amplifier resulting from this effect can be significant even by 40%
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.