Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO wykonywane metodą MBE

Kozanecki A., Sajkowski J., Stachowicz M., Przeździecka E., Syperek M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2014

|

Vol. 55, nr 9

13-15

PL

Tlenek cynku i struktury kwantowe ZnMgO/ZnO/ZnMgO uważane są za bardzo obiecujące materiały do zastosowań optoelektronicznych, ze względu na wartość przerwy energetycznej Eg > 3,3 eV i energię wiązania ekscytonu >60 meV. W tej pracy przedstawione zostaną wyniki naszych badań pojedyńczych studni (QW) i wielostudni kwantowych ZnMgO/ZnO/ZnMgO, otrzymywanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych na różnych podłożach takich jak szafir. Zaprezentowane zostaną właściwości optyczne układów podwójnych studni kwantowych otrzymanych na podłożach szafirowych. Przedyskutowane zostaną mechanizmy oddziaływania między studniami, w szczególności zostanie pokazany wpływ sprzężenia między studniami na emisję ekscytonową.

EN

Zinc oxide is considered as a very attractive semiconductor for applications in optoelectronics, because of its wide band gap, Eg, of 3.3 eV and large exciton binding energy of 60 meV. ZnMgO alloy has been considered as a suitable material for the barrier layers in ZnMgO/ZnO/ZnMgO superlattice structures, because alloying of ZnO with MgO (Eg~7.7 eV) enables widening of the bandgap of ZnO up to at least 4.5 eV without loss of crystalline quality. In ZnMgO/ZnO/ZnMgO quantum wells the binding energy of excitons increases up to 100 meV which promises obtaining of efficient electroluminescence in devices operating on excitonic transitions at room temperature. In this presentation the results of our studies of single and multiple quantum well structures of ZnMgO/ZnO/ZnMgO grown by MBE on different sapphire will be presented. Optical properties of asymmetric coupled quantum wells grown on crystalline ZnO and on sapphire will be discussed. In particular, the influence of interwell coupling on the excitonic emission will be shown.

2

Fourierowska spektroskopia fotoluminescencyjna i fotoodbiciowa struktur półprzewodnikowych przeznaczonych na zakres średniej i długofalowej podczerwieni

Motyka M., Sęk G., Misiewicz J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 10

37-39

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań spektroskopowych struktur półprzewodnikowych prowadzonych w Zespole Optycznej Spektroskopii Nanostruktur Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej w zakresie widmowym średniej i długofalowej podczerwieni. Zaprezentowano możliwości jakie daje stosowanie spektroskopii modulacyjnej, wspartej spektroskopią fotoluminescencyjną, do wyznaczania parametrów fizycznych istotnych z punktu widzenia konstruowaniu urządzeń takich jak np. źródła promieniowania laserowego. W pierwszej części przedstawiono układ pomiarowy do spektroskopii modulacyjnej bazujący na spektrometrze Fouriera jak również wyniki badań zarówno studni kwantowych I rodzaju InGaAsSb/GaSb jak i II rodzaju GaSb/AlSb/ InAs/GaInSb/InAs/AlSb/GaSb do zastosowań emiterowych i detektorowych w zakresie 2-6 μm . W drugiej części przedstawione zostały rezultaty badań warstw HgCdTe o różnej koncentracji atomów kadmu przeznaczonych do zastosowań w czujnikach gazów w zakresie fal 5... 15 μm jak również rezultaty pomiarów fotoluminescencyjnych w obszarze przejść wewnątrzpodpasmowych dla supersieci GaAs/AIGaAs, będących podstawą laserów kaskadowych na zakres emisji 10...15 μm. Ponadto, zaproponowano eksperyment różnicowej spektroskopii odbiciowej pozwalający na szybką charakteryzacja optyczną (w czasie rzędu pojedynczych minut a nawet sekund) struktur półprzewodnikowych w szerokim zakresie spektralnym 1... 15 μm.

EN

In this work, we show the results of optical studies on low-dimensional structures realized in the Laboratory for Optical Spectroscopy of Nanostructures at Institute of Physics Wrocław University of Technology in the spectral range of mid and long wavelength infrared. In the first part there have been shown the advantages and opportunities which gives the modulation spectroscopy gives for the case of structures as InGaAsSb/GaSb type I and GaSb/AlSb/InAs/GaInSb/InAs/AlSb/GaSb type II quantum wells. In the second part, there are presented the results of optical characterization on HgCdTe layers with different Cd atoms content and also on GaAs/AlGaAs superlatticess in the range of intersubband transitions. Additionally, it has been also introduced a fast differential technique which allowed to measure the modulation-like spectra in the very short time scale (single minutes or even seconds) in the broad spectral range (1 ...15 μm).

3

Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x

Kołtunowicz T.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2007

|

R. 53, nr 11

44-46

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x w oparciu o prąd przemienny o częstotliwości z zakresu od 50 Hz do 1 MHz. Pomiary wykonano w zakresie temperatur od 77 K do 373 K. Przeprowadzono analizę uzyskanych wyników i zaproponowano sposób przenoszenia ładunków elektrycznych pomiędzy studniami kwantowymi.

EN

The paper presents the results of the measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites performed on the alternating current in the frequency range from 50 Hz to 1 MHz. The measurements were done in the temperature range from 77 K to 373 K. The analysis of the results were performed and the mechanism of the carrying electric charges between quantum wells was proposed.