Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Effect of crystal defects on the electronic structure and dielectric functions of In0.5Tl0.5I solid state solutions

Andriyevsky Bohdan, Kashuba A., Ilchuk H.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2019

|

Nr 15

35--56

EN

We investigate an influence of the various crystal structure imperfections on the electronic properties and dielectric functions for In0.5Tl0.5I semiconductor in the frame of the density functional theory calculations. The tensor of electron effective mass m*ij of InI, In0.5Tl0.5I and TlI crystals has been calculated for the valence and conduction bands and different K-points of Brillouin zone. Dielectric functions ε(hν) of the defective crystals based on In0.5Tl0.5I solid state solution with iodine vacancy and thallium interstitial atom were calculated taking into consideration the inter-band and intra-band electron transitions. The studies of the defective crystals reveal increased low-frequency and stationary electron conductivity with anisotropy resulted from the anisotropy of the electron effective mass tensor. Our findings explain the origin of crucial changes in the band structure by formation the donor half-occupied levels close to the unoccupied conduction bands due to the crystal structure defects, i.e. iodine vacancy or thallium interstitial atom. It has been shown that in the case of real crystals, in particular metal-halides, the proper consideration of defects in quantum-chemical calculations results in a better matching of the theoretical and experimental results in comparison to the case when the perfect crystal structure had been used for calculations.

PL

Zbadano wpływ różnych niedoskonałości struktury krystalicznej na właściwości elektronowe i funkcje dielektryczne półprzewodnika In0.5Tl0.5I w ramach teorii funkcjonału gęstości. Został obliczony tensor efektywnej masy elektronów m* kryształów InI, In0.5Tl0.5I i TlI dla pasm walencyjnych i przewodnictwa oraz różnych K-punktów strefy Brillouina. Funkcje dielektryczne ε(hν) domieszkowanych kryształów roztworów stałych In0.5Tl0.5I z wakansami jodu i atomami międzywęzłowymi talu zostały obliczone z uwzględnieniem międzypasmowych i wewnątrz-pasmowych przejść elektronowych. Badania domieszkowanych kryształów ujawniły zwiększoną przewodność elektronową niskoczęstotliwościową i stacjonarną o anizotropii wynikającej z anizotropii tensora efektywnej masy elektronów. Przeprowadzone badania wyjaśniają obserwowane duże zmiany struktury pasmowej pochodzące z utworzenia pół wypełnionych poziomów donorowych w pobliżu niezajętych pasm przewodnictwa wynikających z defektów struktury krystalicznej, tj. wakansów jodu czy atomów międzywęzłową talu. Wykazano, że w przypadku kryształów rzeczywistych, w szczególności halogenków metali, właściwe uwzględnienie defektów w obliczeniach kwantowo-chemicznych daje możliwość lepszego dopasowania obliczeń teoretycznych do wyników doświadczalnych w porównaniu do obliczeń bazujących na strukturze krystalicznej doskonałej.

2

Stabilność struktury pasmowej perowskitów w zastosowaniu do aplikacji fotowoltaicznych

Chyliński M., Szmajda M., Pławecki M., Rówiński E., Bzowski B.

Energetyka

|

2018

|

nr 5

299--300

3

Struktura pasmowa i wzmocnienie optyczne studni kwantowych GeSn/Ge

Mączko H., Gładysiewicz M., Kudrawiec R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

13--16

PL

W niniejszej pracy zaprezentowano wyniki obliczeń struktury pasmowej i widm wzmocnienia optycznego dla studni kwantowych Ge/Ge1-xSnx/Ge. Dokonano optymalizacji składu x i grubości studni d do zastosowań w laserach półprzewodnikowych, w wyniku której uzyskano propozycje korzystnych wartości parametrów studni kwantowej: 0,15 < x < 0,17, d ~ 12 mm.

EN

In this work band structure and optical gain was calculated for Ge/Ge1-xSnx/Ge quantum wells. Ottomanization of x composition and the thickness of the well d were made for use in semiconductor lasers. As a result of optimization achieved the optimum parameter values of quantum wells: 0.15 < x < 0.17, d ~ 12 nm.

4

Transmission of polarized light in LHM and RHM materials with periodic refractive index

Garus S., Garus J., Nabiałek M., Błoch K., Szota M.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2014

|

Vol. 65, nr 2

79--85

EN

Purpose: The paper presents the implementation of the Transfer Matrix Method algorithm using Mathematica and the impact of the structure discretization steps number on the filters transmission. Tested materials were made with periodically varying refractive index. Design/methodology/approach: The properties of the filter transmission made of a materials having a periodically varying refractive index were analyzed. The study used a Transfer Matrix Method algorithm. The materials have a thickness of one micrometer. The refractive index of the analyzed material changed sinusoidally with a wavelength of 500nm. Sinusoid quantizing was performed each for 8, 16, 32, 50 and 60 layers. Findings: Maps show the nature of the transmission bands. Band structure of RHM materials (positive refractive index) is similar to the structure of the filter constructed of LHM material, characterized by a negative refractive index. Transmission band in a left-handed material has less width at half maximum. Thirty two layers discretization stabilizes the simulations of the tested materials filtration properties. Research limitations/implications: The paper had not been analyzed for materials with extinction coefficient different from zero. It would be worthwhile to conduct research for materials with variable refractive index of a different nature, for example a triangular or saw tooth shape. Practical implications: Analysis of the filter materials for a variety of photonic structures allows the prediction and design of materials with specified properties. These tests allow to design filters and mirrors for with very good applications parameters. Originality/value: The influence of the discretization level of continuous medium with periodically changing material properties on the transmission map stability was analyzed.

5

Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3

Hruban A., Materna A., Strzelecka S., Piersa M., Orłowski W., Jurkiewicz-Wegner E., Diduszko R., Romaniec M., Dalecki W., Wołoś A.

Materiały Elektroniczne

|

2013

|

T. 41, nr 3

27--39

PL

W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi2Se3 (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi2Se3 domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 1019 cm-3 – 3 x 1017 cm-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 1018 cm-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 1017 cm-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.

EN

In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi2Se3 crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi2Se3, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 1019 cm-3 and 3 x 1017 cm-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 1018 cm-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 1017 cm-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.

6

The effect of solution treatment and nitrogen addition on phase composition of duplex steels

Ryś J., Witkowska M., Matusiewicz P.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2008

|

Vol. 53, iss. 1

229-236

EN

The present investigations concern the estimation of the phase composition and the analysis of the ferrite-austenite morphology after solution annealing of hot-rolled sheets of duplex type steels. Two commercial grades of nitrogen alloyed ferritic-austenitic stainless steels were examined. The first one, X2CrNiMoN22-6-3, is the mid-alloy duplex steel with nitrogen addition 0.19%. Its chemical composition corresponds to the commercial grade SAF 2205. The second steel, X3CrNiMoCuN25-6-4, is the high-alloy super duplex stainless steel with nitrogen contents 0.26% and chemical composition close to the commercial grade UR52N+. It was found that solution annealing within the temperature range 1200°C-1050°C markedly changes the volume fractions and hence the morphology of the austenitic phase. The arrangement of the austenite bands or elongated areas on the background of ferrite matrix remains essentially unchanged in comparison to that after hot-rolling. However their shape and continuity strongly depend on the austenite volume fractions, which result from the applied annealing temperature. The addition of nitrogen, which is strong austenite stabilizer, shifts the temperature range of austenite precipitation to higher temperatures and is responsible for the higher austenite volume fractions in the case of both steels.

PL

Prezentowane badania dotyczą oceny składu fazowego i analizy morfologii struktury dwufazowej po wyżarzaniu i przesycaniu walcowanych na gorąco blach ze stali typu duplex. Badano dwa komercyjne gatunki ferrytyczno-austenitycznych stali nierdzewnych z dodatkiem azotu. Pierwsza z nich, X2CrNiMoN22-6-3, jest średnio-stopową stalą duplex o zawartości azotu 0.19% a jej skład chemiczny odpowiada gatunkowi SAF 2205. Druga stal, X3CrNiMoCuN25-6-4, jest to wysoko-stopowa stal nierdzewna typu superduplex z dodatkiem 0.26% azotu i składzie chemicznym, który jest zbliżony do składu stali w gatunku UR52N+. Stwierdzono, że wyżarzanie w zakresie temperatur 1200°C-1050°C w znaczący sposób zmienia udziały objętościowe a w związku z tym morfologię austenitu. Układ pasm lub wydłużonych obszarów austenitu na tle osnowy ferrytu pozostaje zasadniczo niezmieniony w stosunku do tego po walcowaniu na gorąco. Jednakże ich kształt oraz mniej lub bardziej ciągły charakter w istotny sposób zależy od ilości austenitu, która wynika z zastosowanej temperatury wyżarzania. Dodatek azotu, który jest pierwiastkiem silnie stabilizującym austenit, przesuwa zakres wydzielania austenitu do wyższych tcmperatur i jest odpowiedzialny za zwiększone udziały objętościowe austenitu w obu stalach.

7

Od grafitu do grafenu

Trauzettel B.

Postępy Fizyki

|

2007

|

T. 58, z. 6

250-256

EN

Carbon monolayered form called graphene, a new model system for two-dimensionally confined electrons, is presented. Several examples of its interesting and promising properties are described.

8

Planowanie urbanistyczne w Poznaniu w latach 1900-1990

Kodym-Kozaczko G.

Zeszyty Naukowe Politechniki Poznańskiej. Architektura i Urbanistyka

|

2006

|

Z. 6

21-24

PL

Pierwszym planem Poznania, po 100 latach zamknięcia miasta w okowach twierdzy, był plan strefowy J. Stuebena z 1903 roku. Konkurs na Projekt regulacji i zabudowy miasta Poznania, który odbył się w 1931 roku wskazał nowe drogi rozwoju miasta. Później powstały plany ogólne; w latach trzydziestych pod kierunkim W. Czarneckiego, w latach czterdziestych i pięćdziesiątych pod kierunkiem T. Płończaka, w 1961 r. pod kierunkiem Z. Paszka. W 1975 roku zespół kierowany przez T. Gałeckiego wykonał plan przewidujący pasmowy rozwój Poznania.

EN

The first plan of Poznań after about a hundred years of closing the natural urban development by Prussian fortress was zonal plan by J. Stueben from 1903. The Competition for Project of Regulation and Development of Poznań arranged in 1931, showed new ways of urbanisation. Next were made following master plans of Poznań: in the thirties under direction of W. Czarnecki, in the 1940's and the 1950's under direction of T. Płończak, in 1961 in the team with T. Paszek as the leader. The long - term plan finished in 1975 provided ribbon development of Poznań.