Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: struktura metal-izolator-półprzewodnik

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Characterization of MOS structures with ultrathin insulator layer by means of a theoretical model

Majkusiak B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

30-33

The effect of tunnel leakage through the insulator layer in metal-insulator-semiconductor structure on its small-signal admittance is investigated by means of a theoretical model. The conclusions are reviewed on example of experimental Al-SiO2-Si structures.

Wpływ prądu upływu tunelowego przez warstwę izolatora w strukturze metal-izolator-półprzewodnik na małosygnałową admitancję struktury jest badany z wykorzystaniem teoretycznego modelu. Wnioski są weryfikowane na podstawie doświadczalnych struktur Al-SiO2-Si.