Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2001

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: structures MIS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu

Szmidt J., Bąkowski M., Sokołowska A., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 2

30-33

W pracy scharakteryzowano właściwości różnych odmian węglika krzemu na tle innych materiałów półprzewodnikowych. Przedstawiono wymaganiadla warstw dielektrycznych stosowanych w przyrządach półprzewodnikowych - w szczególności struktur MIS. Dokonano krytycznej analizy warstw termicznego SiO2 oraz przedstawiono pierwsze wyniki badań innych dielektryków wytwarzanych metodami plazmowymi na podłożach z węglika krzemu.

The paper presents characterisation of different forms of silicon carbide in comparison with other semiconductors. Requirements for dielectric layers for applications in silicon carbide devices, especially in MIS structures, are also presented. A critical analysis of thermal SiO2 layers is effected and first results of investigations of other dielectric layers (AlN, Al2O3) produced by plasma method on silicon carbide substrates are presented.