Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  structure modification
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Modyfikacja przyrządów półprzewodnikowych wiązką przyśpieszo nych elektronów polega na skróceniu czasu życia nośników mniejszo ściowych. Aby uzyskać odpowiednie warunki dla tego procesu, wyso koenergetyczne elektrony wytwarzają szereg defektów w kryształach krzemu. Istotną kwestią doboru parametrów procesu napromieniowa nia jest uzyskanie kompromisu pomiędzy zmniejszającym się czasu życia nośników, co prowadzi do polepszania zdolności przełączania, a jednoczesnym wzrostem napięcia przewodzenia, co ogranicza po ziom dopuszczalnego prądu obciążenia. Technika obróbki radiacyjnej w porównaniu do dyfuzyjnego wprowadzania domieszek metalicznych w półprzewodnikach oferuje: precyzję, niezawodność i powtarzalność wymaganych parametrów. Precyzyjna kontrola koncentracji genero wanych defektów zapewnia bardziej jednorodną charakterystykę elektryczną. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych, takich jak diody Si i tranzystory MOSFET jest uznawane za jedną z innowa cyjnych metod, które można zastosować do pomiarów dozymetrycz nych wykonywanych w obszarze medycznym, a także w typowych systemach przemysłowych, gdzie dawka pochłonięta może waha się od 10 Gy do 50 kGy.
EN
Electron beam modification of semiconductor devices is based on the decrease of the lifetime of minority carriers after radiation treatment. To obtain suitable conditions for this process a number of defects are created in silicon crystals by high energy electrons. Certain irradiation conditions should be followed to obtain a com promise between decreasing carriers’ lifetime, which leads to the faster switching properties, but at the same time reduces load current level due to increase of the conduction voltage drop. The radiation processing technique, as compared to the introduction of metal impurities in semiconductors, offers: precision, reliabi lity and reproducibility of required properties. Precise control of the concentration of defects that are generated provides more uniform electrical characteristics. The irradiation process is very flexible and can be used for the processing of raw semiconductor components and for final products as well as for the improvement of the device properties. The use of semiconductor devices, like Si diodes and MOSFET transistors, are recognized as one of innova tive methods which can be used for dosimetry measurements as performed in the medical area, and also in typical industrial irra diators where the absorbed dose can range from 10 Gy to 50 kGy.
PL
Zasadniczą konsekwencją napromieniowania przyrządów elektronicznych są radiacyjnie indukowane zmiany własności materiałów, które mogą zakłócić funkcjonowanie przyrządów elektronicznych z nich wykonanych. Efekty te są powiązane zarówno z właściwościami napromieniowanego materiału, jak i rodzajem promieniowania. Można również wykorzystywać efekty wywołane promieniowaniem w przyrządach elektronicznych w produkcji, do zamierzonych modyfikacji materiałów półprzewodnikowych i właściwości produktu końcowego. Przyspieszone elektrony, wiązki jonów, promienie rentgenowskie, kosmiczne i gamma przenoszą swoją energię, wyrzucając elektrony z powłok atomów, które następnie mogą jonizować inne atomy w materiale pochłaniającym. Niektóre parametry elementów elektronicznych, takie jak: duża szybkość przełączania lub ujednolicony współczynnik wzmocnienia można osiągnąć poprzez selektywne zastosowanie obróbki radiacyjnej. Proces napromieniowania tworzy pierwotne i wtórne defekty w krysztale i generuje efektywne centra rekombinacji dla nośników mniejszościowych, toteż promieniowanie o wysokiej energii może być dobrze wykorzystane przy wytwarzaniu diod dużej mocy i tyrystorów o zadanych właściwościach czasu regeneracji.
EN
The principal consequence of irradiation on electronic devices is radiation-induced effects of materials, which can disturb the functioning of the electronic devices made from these materials. These effects are related both to the properties of the irradiated material and to the type of irradiation. Radiation-induced effects can also be used in the manufacture of electronic devices for intended modification of semiconductor material and the properties of the final product. Accelerated electrons, ion beams, X-rays, cosmic rays and gamma rays transfer their energy by ejecting atomic electrons, which can then ionize other atoms in absorbing material. Some parameters for electronic devices, such as high switching speed or unified gain coefficient can be achieved by selective use of radiation processing. The irradiation process forms the primary and secondary defects in the crystalline structure, and creates the effective recombination centers for minority carriers, hence high-energy radiation can be well used in the production of high-power diodes and thyristors with given properties of switching time.
EN
In this work, research on influence of multiwalled carbon nanotubes (MWCNTs), produced in Catalic Chemical Carbon Vapor Deposition, NANOCYLTM NC7000CNTs on a structure and properties of AISI 301 steel remelted by TIG arc. In the assessment of influence a type of carbon on properties and structure of austenitic steel, as a carbon filler was use also carburizer. In the specimens (AISI 301 plates) with dimensions 155×60×7 [mm] were drilled holes with 1.3 mm diameter and placed 0.5 mm under specimen surface. Next, to the drilled holes was implemented CNTs, carburizer and mixture of these both powders. Prepared specimens were remelted by TIG method on the CASTOTIG 2200 power source with 2.4 mm tungsten thoriated electrode with parameters sets for obtain 3.0 mm penetration depth. Remelted specimens were cut into the half of the welds distance and prepared for metallographic examinations. Cross sections of the specimens were tested on classical metallography microscopes, hardness tests, SEM analyses (on JEOL 5800 LV SEM EDX equipment) and phase identification by X-ray phase analysis on Philips APD X’Pert PW 3020 diffractometer. Hardness analysis indicates about 25% increase of hardness in the remelted area when the CTNs are used. In the specimens with carburizer there is no significant changes. SEM analyses of remelted areas on AISI 301 specimens modificated with CNTs, indicates that dark areas, initially interpret as one of the phase (based on optical microscope) is finally densely packed bladders with dimensions from 50 nm up to a few µm. These bladders are not present in the specimens with carburizer filler. High resolution scanning microscopy allow to observe in the this area protruding, longitudinal particles with 100-300 nm length. For identification of this phase, X-ray analysis was done. But very small dimensions of used CNTs (diameters about 9,5 nm), random orientation and small weight amount can make difficult or impossible to CNTs detection during XRD tests. It means that it is not possible to clearly determine nature of particles filling the cavities, it is only possible to suppose that they are CNTs beams with nanoparticles comes from their disintegration. Results of the researches indicates, that fill in the weld pool with different form of carbon (CNTs and carburizer) it is possible to achieve remelted beads with different structure and hardness distribution. It confirms validity of the research continuation with CNTs as a modifier of steels and also other metals and theirs alloys.
EN
This article deals with a modification of the main load-bearing part of a mechanical rack system, which is designed for storage of bar materials with the total length of 6 m. The structure of the equipment is made by the welding of steel parts and consists of the main load-bearing structure, which comprises the central beam and horizontal beams and of four draw-out shelves on each side layout in four levels. Every individual shelve is intended to carry weight of 3.0 t with respect to customer requests. However there was found out, that in the pulled-out positions of shelves with maximum load, the main load-bearing structure shows some weak locations. Therefore there has been necessary to make design modifications of this part. The modification has consisted in the complement of a supplementary sheet into the overstrained location. Based on computational simulations we have found out, this modification of the structure ensures the stress reducing and it is suitable for the intended purpose.
PL
W artykule omówiono modyfikację głównej części nośnej mechanicznego systemu regałowego, który przeznaczony jest do przechowywania materiałów prętowych o łącznej długości 6 m. Konstrukcja urządzenia zbudowana jest ze spawanych części stalowych i składa się z głównej konstrukcji nośnej, która posiada belkę środkową, poziome belki oraz cztery wysuwane półki z każdej strony w czterech poziomach. Każda pojedyncza półka ma przenosić ciężar 3,0 t w zależności od specyfikacji klienta. Okazało się jednak, że przy maksymalnie wysuniętych półkach z maksymalnym obciążeniem główna konstrukcja nośna wykazuje się brakiem stabilności. W związku z tym konieczne było dokonanie modyfikacji konstrukcji tej części. Modyfikacja polegała na dodaniu blachy w miejscu nadmiernie obciążonym. Badania symulacyjne wykazały, że ta modyfikacja struktury zapewnia zmniejszenie naprężeń i poprawę stabilności konstrukcji.
5
Content available remote Techniki modyfikacji chemicznej struktury powierzchni adsorbentów węglowych
PL
Modyfikacja charakteru chemicznego powierzchni materiałów węglowych (węgli aktywnych i włókien węglowych) stwarza możliwości otrzymywania materiałów adsorpcyjnych o dedykowanych, specyficznych właściwościach determinujących ich zastosowanie. Do modyfikacji składu chemicznego powierzchni sorbentów mogą być zastosowane metody wykorzystujące oddziaływanie kwasów i zasad, promieniowanie mikrofalowe, oddziaływanie ozonu oraz plazmy. W artykule dokonano przeglądu wybranych metod modyfikacji chemicznego składu powierzchni materiałów węglowych stosowanych do adsorpcji z fazy gazowej i ciekłej.
EN
A review, with 57 refs, of chem. and phys. methods for modification of C adsorbents.
6
Content available remote Effect of modification on the mechanical properties of IN-713C alloy
EN
The results of studies on the effect of modification on macrostructure and mechanical properties (hardness, R02, Rm, elongation A5 and reduction of area Z) of IN-713C nickel alloy, examined on “carrot”- type specimens(1) were presented. One surface-volume modified melt and two volume-modified melts were made. As a reference, the results obtained on non-modified castings were used. A very beneficial effect of the combined surface-volume modification on alloy macrostructure (equiaxial crystals) and mechanical properties was reported. Volume modification produces mixed structure of columnar and equiaxial crystals. The efficiency of modification was additionally enhanced by application of filters made according to the authors’ genuine design. The inoculant used in these filters was cobalt aluminate CoAl2O4.
EN
Purpose: The precise temperature measurements need the using of temperature reference points - "temperature fixpoints" (TFP). The increase of measuring temperature interval and other reasons require of new TFP with high stability in different working conditions. On that reason the studying of liquid metals and metallic eutectic alloys has been carried out in this work. Design/methodology/approach: For experimental studies the physical properties measurements were used. Findings: Non-reproducibility of temperature fixpoints exist due to some reasons: no accounting the structural - thermodynamic state of melt; mass-heat processes are not enough taken into account. It is fixed, that the temperature fluctuations (and non-stability of crystallization plateau) are of two types: small fluctuations (up to (1-2) mK) are caused by phases (stages) of crystallization process; major fluctuations (at us: ±0,2K) crystallizations are caused convectional streams at the front. Fluctuations can be essentially reduced by approach to requirements of thermodynamic balance, but their complete elimination - is problematic. Research limitations/implications: The main parameters obtained from them are analysed. It is shown that melting-crystallization phase transition is influenced by structural state of melt and cooling condition. Practical implications: The results obtained here can be used in analysis of errors at high-precision temperature measurements and constructing of new temperature measuring and holding systems of high stability. Originality/value: The results of this study can be useful for researches in field of metrology, material science and physics of metals.
EN
We investigated the supermolecular structure of standard polyester fibres and those with re-duced susceptibility to pilling, processed by the uncontrolled breaking method with the use of cable breaking machines. The aim of our investigation was to establish how the structure modification of the PET fibres, which tends towards the reduction of their susceptibility to pilling, influences the fibres' selected physical properties and their supermolecular structure.
PL
Badano strukturę nadcząsteczkową włókien poliestrowych standardowych i o obniżonej skłonności do pillingu przetwarzanych metodą rozrywania niekontrolowanego. Celem badań było stwierdzenie, w jaki sposób modyfikacja włókien PET, mająca na celu obniżenie ich podatności na pilling, wpływa na ich strukturę nadcząsteczkową i wybrane właściwości fizyczne.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.