Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Archives of Metallurgy and Materials

1 2008

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: strip detector of X-ray diffractometer

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayers

Mietniowski P., Kanak J., Powroźnik W., Stobiecki T., Maj P., Gryboś P.

Archives of Metallurgy and Materials

2008

Vol. 53, iss. 1

75-81

This paper presents silicon strip detector designed at AGH with front-end electronics based on ASIC (Application Specific lntergraded Circuits) which is used for diffraction measurements of thin films. Application of this detector for diffraction, in comparison to the standard proportional counter, allows to reduce time of measurement up to 100 times. Two types of 128-strip detectors with pitch between strips centers of 75 µm and 100 µm were tested. Angular resolution was determined from measurements of powder standard reference material (SRM 660) LaB 6 . It was demonstrated that detector with strip pitch 75 µm had better angular resolution than that of 100 µm one. The XRD measurements were performed on the metallic polycrystalline multilayers deposited by sputtering technique: Si(100)/Si0 2 47 nm/buffer/IrMn 12 nm/CoFe 15 nm/A1-0 1.4 nm/NiFe 3 nm/Ta 5 nm and Si(100)/Si0 2 500 nm/buffer/[Pt 2 nm/Co 0.5 nm]x5. The samples were prepared with four different buffers in order to obtain different texture degree (in the brackets buffers for Pt/Co multilayers): (a) Cu 25 nm, (Cu 10 nm) (b) Ta 5 nin/Cu 25 nm, (Ta 5 nm/Cu 10 nm) (c) Ta 5 nm/Cu 25 nm/Ta 5 nm/Cu 5 nm, (Ta 5 nm/Cu 10 nm/Ta 5 nm) and (d) Ta 5 nm/Cu 25 nm/Ta 5 nm /NiFe 2 nm/Cu 5 tun, (Ta 5 nm/Cu 10 nm/Ta 5 nin/Cu 10 nm). The results measured by our strip detector, conventional proportional counter and commercial X'Celerator detector are similar in all details specific for diffraction of multilayer. Some advantages of the strip detectors usage for structural analysis of thin films are discussed.

Krzemowe detektory paskowe zintegrowane z elektroniką "front-end" zaprojektowane na AGH w oparciu o uklad ASIC (Application Specific Intergraded Circuits) zostały wykorzystane do detekcji promieniowania rentgenowskiego w eksperymentach dyfrakcyjnych ukladów cienkowarstwowych. Zastosowanie tych detektorów w porównaniu z licznikami proporcjonalnymi pozwala zredukowae czas pomiaru do okolo 100 razy. Przetestowano dwa typy detektorów 128-paskowych o odległościach pomiędzy paskami 75 µm i 100 µm. Pomiary kątowej zdolności rozdzielczej wykonane na próbkach proszkowych LaB6, pokazały, że detektor z odległością pomiędzy paskami 75 µm posiada lepszą zdolność rozdzielczą. Przeprowadzono pomiary dyfrakcyjne na wybranych układach cienkowarstwowych naniesionych techniką jonowego rozpylenia. Układy te miały następującą budowę: podłoże Si(100)/Si02 47 µm /warstwy buforowe /IrMn 12 nm/CoFe 15 nm/A1-0 1.4 mn/NiFe 3 nm/Ta 5 nm oraz Si(100)/Si02 500 nm/warstwy buforowe/[Pt 2 nm/Co 0.5 nm]x5. Jako warstwy buforowe zastosowano następujące układy wielowarstwowe (w nawiasach warstwy buforowe dla ukladów wielowarstwowych Pt/Co): (a) Cu 25 nm, (Cu 10 nm) (b) Ta 5 nm/Cu 25 nm, (Ta 5 lini/Cu 10 nm) (c) Ta 5 11111/Cu 25 nm/Ta 5 nm/Cu 5 nm, (Ta 5 nm/Cu 10 nin/Ta 5 nm) and (d) Ta 5 nm/Cu 25 nm/Ta 5 nm /NiFe 2 nm/Cu 5 nm, (Ta 5 tn/Cu 10 nm/Ta 5 nm/Cu 10 nm). Otrzymano podobne wyniki zarówno przy wykorzystaniu licznika proporcjonalnego, detektora paskowego jak i komercyjnego detektora X'Celerator. Przedyskutowano zalety krzemowego detektora paskowego w zastosowaniu do badań dyfrakcyjnych układów cienkowarstwowych.