Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: strain relaxation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakterystyki mocy lasera VECSEL w funkcji relaksacji sieci krystalicznej

Jasik A., Sankowska I., Broda A., Kubacka-Traczyk J., Trajnerowicz A., Wójcik-Jedlińska A., Muszalski J., Wasiak M., Sokół A.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

81-84

W artykule przedstawione zostały wyniki badań wpływu naprężenia sieci struktury lasera z pionową wnęką rezonansową VECSEL (vertical external cavity surface emitting laser) na jego własności. Badane były struktury z różną liczbą studni kwantowych w obszarze aktywnym. Pozostałe parametry były stałe. Naprężenie w strukturze określane było na podstawie pomiarów map węzłów sieci odwrotnej wykonanych wokół dwóch refleksów: 004 i -2-24. Stwierdzono, że stopień relaksacji sieci w zależności od liczby studni kwantowych można opisać za pomocą funkcji liniowej. Z porównania wyników numerycznych i eksperymentalnych wynika, że dyslokacje niedopasowania są źródłem rekombinacji niepromienistej, silnie wpływającym na redukcję mocy wyjściowej z lasera. Biorąc za kryterium oceny jakości lasera moc zewnętrzną, określiliśmy optymalną liczbę studni kwantowych w obszarze aktywnym równą 12, co jest związane z relaksacją sieci równą 27%. Stosując diament jako medium rozpraszające ciepło, uzyskaliśmy maksymalną moc równą 4,5 W.

We have investigated the influence of strain built into the periodic gain structure of Vertical External Cavity Surface-Emitting Lasers on the laser properties. Laser structures with different numbers of quantum wells (QWs) in the active region were grown using molecular beam epitaxy. The strain was analyzed by reciprocal space maps taken around two reflections of 004 and -2-24. It was found that the dependence of strain relaxation caused by misfit dislocation on the number of quantum wells can be described by a linear function. Fitting the numerical simulations to the experimentally-obtained output power characteristics revealed that misfit dislocations are the non-radiative recombination defects and are responsible for suppressing output power. Taking as a criterion the output power, we determined the optimal number of QWs as 12 and the maximal tolerable relaxation value as 0.27 for InGaAs/GaAs VECSEL structures with uniformly distributed quantum wells in a microcavity. Using diamond heat spreader bonded to the laser surface we obtained output power of 4.5 W.

Photoreflectance study of partially relaxed epitaxial InGaAs on GaAs

Motyka M., Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Serafinczuk J., Kudrawiec R., Misiewicz J.

Optica Applicata

2009

Vol. 39, nr 3

561-570

Room temperature photoreflectance (PR) spectroscopy and high resolution X-ray diffraction (HRXRD) have been used to investigate InxGa1-xAs layers grown compressively by MOVPE on GaAs substrates, with different composition and thickness. HRXRD reveals that all the samples are partially relaxed and In composition has been determined for each of the samples. The effects of residual strain on the optical response of the samples, namely interband transitions and the valence band splitting, were analyzed by fitting the standard line shape form to the PR data. The energies determined experimentally as a function of indium content were compared to those obtained in the framework of the elastic strain theory for pseudomorphic layers. This comparison allows us to estimate the extent of strain relaxation and to determine the residual strain values in the samples. Furthermore, we revealed that the measured residual strain ?res follows t-1/2 dependence on the epitaxial layers thickness t. This confirms the appropriateness of the nonequilibrium models (energy-balance models) for these structures.