Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: stimulated emission

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Stimulated and spontaneous far infra-red emission from uniaxially strained gapless Hg₁₋xCdxTe

Gasan-Zade S. G., Strikha M. V., Shepelskii G. A.

Opto-Electronics Review

2010

Vol. 18, No. 3

305-309

The intensive far infra-red irradiation in the range of 80–100 μm was observed in uniaxially strained gapless p-Hg₁₋xCdxTe (MCT) with x = 0.14 in the strong electric field. The inverse occupation in strained MCT is created because the hot electrons distribution occurs in the c-band under impact ionization, while the holes are localized near the v-band top. The probability of band-to-band radiative transition increases dramatically when the acceptor level becomes resonance in the v-band. At threshold values of strain and electric field (P = 2.5-2.7 kbar, E = 50-55 V/cm), increase in irradiation (by 3 orders of magnitude) and increase in current (by 4-6 times) occur.

Szkło dla fotoniki. Cz. 9, Rodzaje szkieł laserowych

Romaniuk R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 6

69-74

W artykule, który jest dziewiątą częścią cyklu prac o szkłach dla fotoniki, dokonano przeglądu najczęściej stosowanych rodzajów aktywnych szkieł laserowych domieszkowanych jonami ziem rzadkich. Przedstawiono rodzaje jonów domieszki aktywnej wraz z ich charakterystykami oraz właściwościami szkieł nimi domieszkowanych. Porównano układy domieszkowanych szkieł laserowych bazujących na różnych tlenkach, fluorkach oraz siarczkach (i rodziny takich szkieł). Podkreślono optymalne cechy jakimi powinny charakteryzować się idealne szkła laserowe dla konkretnych zastosowań.

The paper, which is the ninth part of a cycle on glasses for photonics, is a concise review of the most frequently used kinds of active laser glasses doped with rare earth ions. There are presented kinds of used rare earth ions together with their characteristics and properties of glasses doped with these ions. There are compared glass systems with rare earths based on oxides, fluorides and sulfides (and related systems). The emphasis is on optimal features of idea I laser glasses required for various applications.

Epitaxy on GaN bulk crystals

Leszczyński M., Prystawko P., Czernecki R., Lehnert J., Perlin P., Wiśniewski P., Skierbiszewski C., Suski T., Nowak G., Karouta F., Holst J., Grzegory I., Porowski S.

Opto-Electronics Review

2001

Vol. 9, No. 2

125-128

The article shows the most important experimental results describing the properties of nitride layers on GaN single crystals. The layers were grown using matalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The growth was monitored by in-situ laser reflectometry. The layers contain very small dislocation density of about 10-10³ cm⁻² (the same as in the GaN substrates). Morphology and crystallographic quality was examined using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The layers have exellent photoluminescent properties what has a direct impact on the optoelectronic device properties.