Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: sterownik bramy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Gate driver for SiC Mosfet transistors

Mysiński W., Jakubas W.

Czasopismo Techniczne. Elektrotechnika

2016

Y. 113, iss. 1-E

113--122

As new power transistors, such as SiC Mosfets, are being increasingly used in power electronics systems, it has become necessary to use special drivers. This article compares the parameters of SiC Mosfet, Si Mosfet, and IGBT gate circuits. Differences are discussed with reference to the ways in which these transistors are controlled. Gate circuit parameters of SiC transistors differ slightly from those of common Mosfet or IGBT transistors, and in order to be able to fully utilise the capabilities of these new devices, it is necessary to employ appropriate drivers. This article discusses one such driver for SiC transistors.

Ze względu na coraz częstsze stosowanie nowych tranzystorów mocy typu Mosfet SiC w układach energoelektronicznych istnieje potrzeba zastosowania specjalnych układów sterowników bramek. Parametry obwodu bramki tranzystorów zbudowanych na węgliku krzemu są trochę inne niż typowych tranzystorów Mosfet lub IGBT i żeby w pełni wykorzystać właściwości tych nowych elementów, należy zastosować odpowiednie sterowniki. W artykule przedstawiono jeden z przykładów sterowników (tzw. gate driver) dla tranzystorów typu Mosfet SiC.

Reduced stress and fluctuation for the integrated α-Si TFT gate driver on the LCD

Huang N. X., Shiau M. S., Wu H.-C., Sun R. C., Liu D.-G.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2010

Vol. 1, nr 3

311-315

In this paper, an integrated TFT gate driver was designed on the glass substrate not only to decrease the fluctuation at the output, but also to reduce the stress effect on the pull-down branches. The fluctuation in the voltage at the output transistor was attributed to the coupled clocks through the parasitic capacitors in the TFTs. In this study, the voltage gating the pull-down braches was reduced for longer operational lifetime. This scheme was investigated by simulation by Smart-SPICE with an α-Si TFT model from Wintek Inc. at level 35.