W artykule przedstawiono nową metodę stabilizacji warstw rezystywnych Ni-P otrzymywanych w procesie bezprądowej metalizacji. Nowa metoda polega na rezygnacji z wielogodzinnego wygrzewania tych warstw w zakresie temperatur 180....220°C, na rzecz krótkich wysokotemperaturowych "impulsów" cieplnych, co pozwala nie tylko na zmniejszenie energochłonności procesu, lecz także na wyeliminowanie szkodliwego zjawiska jakim jest niekontrolowany wzrost TWR warstwy rezystywnej. Efektem tej niekorzystnej modyfikacji tego parametru jest pogorszenie parametrów eksploatacyjnych rezystorów warstwowych stałych wytwarzanych na bazie stopu Ni-P.
EN
This paper present the results of impulse stabilisation of Ni-P amorphous layer, which improve the TCR of resistors which was done on the Ni-P base.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.