Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: spreading resistance

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym

Brzozowski A., Sarnecki J., Lipiński D., Wodzińska H.

Materiały Elektroniczne

2013

T. 41, nr 4

20--26

Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.

Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.

Characterization of AIIIBV epitaxial layers by scanning spreading resistance microscopy

Szyszka A., Ściana B., Radziewicz D., Macherzyński W., Paszkiewicz B., Tłaczała M.

Optica Applicata

2011

Vol. 41, nr 2

281--288

One of the electrical characterization techniques of semiconductor structures with nanometer spatial resolution is scanning spreading resistance microscopy (SSRM). The applicability of SSRM technique for characterization of GaAs structures with n-type doping fabricated by metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) was examined. The influence of scaling effect on the nanometer size AFM tip-semiconductor electrical characteristics was described. The results of characterization of device structure of magnetic field sensitive field effect transistor were presented.