PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 16

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  spintronika
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Synchrotron SOLARIS
Król Emilia
Postępy Fizyki
|
2019
|
T. 70, z. 2
21--24
PL
Naukowcy z kraju i zagranicy już od października ubiegłego roku mogą prowadzić regularne badania w Centrum SOLARIS. Znajdujący się w ośrodku synchrotron stwarza im unikalne możliwości badawcze, dotąd niedostępne w Europie Środkowo-Wschodniej. O wybudowanie w Polsce synchrotronu zabiegano od ponad trzydziestu lat, dlatego pierwsi użytkownicy w SOLARIS to przełomowy moment dla polskiej nauki.
2
Content available Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Szczepański Tomasz, Kudła Sylwia
Physics for Economy
|
2019
|
Vol. 3, No. 1
41-51
EN
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
PL
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
3
Content available Wielostanowa komórka pamięci magnetycznej - analiza czasowa szybkości zapisu oraz gęstości upakowania komórek
Stebliński P., Błachowicz T.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2017
|
Nr 11
41--48
PL
Przebadano model wielostanowej komórki pamięci magnetycznej. Przeprowadzono analizę ilości stanów stabilnych, wyznaczono natężenie sygnału przełączającego (pole Zeemana) pomiędzy stanami w zależności od czasu przełączania oraz wyznaczono gęstość zapisu. 3-bitowa (o 8 niezależnych stanach stabilnych) komórka pamięci magnetycznej posiadała około 100 razy większą gęstość zapisu niż aktualnie spotykane pamięci SSD o najwyższej gęstości. Badane czasy przełączania były od 1000 do 100 tys. razy mniejsze niż we współczesnych półprzewodnikowych odpowiednikach. Ważną zaletą wyznaczonego nieukierunkowanego pola przełączającego była jego jednorodność w przestrzeni oraz jedynie zmiana w czasie.
EN
The model of multi-level magnetic cell memory was examined. The analysis of stable states, a switching signal (Zeeman field) intensity and direction in dependence of switching time along with writing density were performed. The 3-bit (8 independent stable states) magnetic cell memory achieved potential writing density of about 100-times higher then actual SSD memories having actually highest writing density. The examined switching times were from 1000 to 100000 times shorter then up to date semiconductor solutions. Importantly, the advantage of discovered switching field intensity was homogeneous in space and changed in time.
4
Elektryczne przewodnictwo grafenu
Trzaska Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 11
15-21
PL
Materiałem o niezwykłych właściwościach nie tylko fizyko-chemicznych, ale przede wszystkim użytkowych jest grafem, w postaci folii, o grubości jednego atomu, utworzonej z atomów węgla umieszczonych płasko w węzłach siatki o strukturze podobnej do plastra miodu. Grafen jawi się jako niezwykle obiecujący materiał, który znajdzie zastosowanie zarówno w sieciach internetowych, telefonii komórkowej, smartfonach, jak też w komputerach. Może być również wykorzystany do budowy efektywnych rezonatorów mechanicznych. Zasadnicza uwaga w artykule skupiona jest na linii transmisyjnej RLC jako modelu jednowarstwowego grafenu w postaci taśmy o długości C i szerokości W, działającego między źródłem Z a odbiornikiem O. W badaniach wpływu wymiarów taśmy grafenu na odpowiedź wykorzystane zostały eksperymenty numeryczne i obliczenia komputerowe z zastosowaniem pakietu programów Matlab. Wyznaczone zostały przebiegi napięcia na odbiorniku wymuszone skokiem jednostkowym napięcia zasilającego dla szerokości taśmy W1 = 10 nm oraz W2 = 20 nm i W3 = 30 nm. W symulacjach komputerowych wyznaczone zostały zmiany amplitudy odpowiedzi układu przy zmianie częstotliwości napięcia zasilającego dla trzech szerokości taśmy grafenu i podano ich odwzorowanie za pomocą wykresów Nyquista. Zarówno analiza w dziedzinie czasu, jak i symulacje w dziedzinie częstotliwości wskazują na fakt, że im szersza jest taśma grafenu przy stałej jej długości, tym stabilniejszy jest układ.
EN
The material with unusual properties not only the physico-chemical ones, but also proved to be useful in practise is graphene, which is a flat layout of the film, one atom thick, formed from carbon atoms arranged in a flat grid nodes of the structure of a honeycomb. Graphene is seen as a very promising material that can be applied both in computer networks, mobile phones, smartphones, as well as in medical robots. It can also be used to build effective mechanical resonator. The main attention in the article is focused on the transmission line RLC as a model of single-layer graphene in the form of a strip of length [ and width W, acting between the source Z and the receiver O. Investigation of the size effect of the graphene strip on the system response are carried out by numerical experiments and computer calculations with use the Matlab software package. Designated waveforms on the receiver were forced to unit jump of the supplied voltage for the tape width W1 = 10 nm, W2 = 20 nm and W3 = 30 nm. Computer simulations were carried out in the frequency domain in the form of extortion assuming sinusoidal voltage with unit amplitude and variable frequency over a wide range and results are given by the Nyquist plots. The analyses of the time-domain and frequency-domain simulations indicate that the broader the band graphene at constant along its length, the more stable the system is.
5
Koncepcja hybrydowego procesora cyfrowego z rdzeniem spintronicznym
Stebliński P., Błachowicz T.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2011
|
R. 79, nr 11
45-46
PL
Przedstawiono koncepcję magnetooptycznego procesora hybrydowego z ferromagnetycznym rdzeniem przetwarzającym opartym o elementarne operacje logiczne.
EN
The paper presents an idea of magnetooptic hybrid processor with ferromagnetic processing core, based on elementary logic operations.
6
Content available remote Spintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników
Tumański S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 2
93-98
PL
W artykule omówiono czujniki magnetorezystancyjne i na ich przykładzie przedstawiono nową dziedzinę techniki spintronikę. Odkrycie zjawisko gigantycznego magnetooporu zostało uhonorowane w zeszłym roku nagroda Nobla - w artykule przedstawiono osiągnięcia nagrodzonych zespołów oraz samo zjawisko. Porównano czujniki GMR z czujnikami AMR i innymi elementami wykorzystującymi zależność przewodnictwa od pola magnetycznego.
EN
In the paper have been described magnetoresistive sensors and on this ex ample the spintronics is discussed. The discovery of giant magnetoresistance was awarded by Nobel price - the paper presents achievements of honored teams and the GMR phenomenon as well. The performances of magnetoresistive sensors are discussed and new sensors utilizing spin effect are presented
7
Content available remote Geneza, rozwój i przyszłość spintroniki
Fert A.
Postępy Fizyki
|
2008
|
T. 59, z. 6
249-261
8
Quo vadis
Sosnowski J.
Nowa Elektrotechnika
|
2008
|
nr 4 (44)
27--29
9
Content available remote Od grafitu do grafenu
Trauzettel B.
Postępy Fizyki
|
2007
|
T. 58, z. 6
250-256
EN
Carbon monolayered form called graphene, a new model system for two-dimensionally confined electrons, is presented. Several examples of its interesting and promising properties are described.
10
Content available remote Spintronics in semiconductors
Wilamowski Z., Werpachowska A.M.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
803--808
EN
For the last years spin effects in semiconductors have been of great interest not only in the context of solid state physics, but also for their potential usage in technology. In this paper we give a short review of spintronic materials, in which electron spin as an additional degree of freedom is exploited. Afterwards, we discuss the properties of classic, non-magnetic semiconductors, where the efforts are put on enriching the traditional semiconductor technology engaging the electrical effects of spin effects. Various phenomena and scientific state of the art is highlighte
11
Content available remote Photoluminescence in EuS-PbS-EuS semiconductor structures with double ferromagnetic barrier
Kowalczyk L., Chernyshova M., Story T., Sipatov A.Yu.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
809--814
EN
Temperature, magnetic field and laser excitation power dependence of the photoluminescence (PL) was studied in 5x[EuS(5.5 nm)-PbS(17.5 nm)] semiconductor ferromagnetic multilayer grown epitaxially by high vacuum deposition on BaF2 (111) substrate. In EuS-PbS heterostructures ferromagnetic layers of EuS form electron barriers for both electrons and holes in nonmagnetic quantum wells of PbS. The PL was observed in the near infrared due to electronic transitions in PbS quantum wells with narrow energy gap. The measurements carried out at T=4.2 and 77 K (i.e. below and above the Curie temperature of EuS layers equal about 14 K) showed the characteristic PL spectra consisting of one or two lines with strongly nonlinear response upon increasing the YAG laser excitation power. Below the Curie temperature, the application of a weak magnetic field of 200 Oe results in a change of the PL intensity as well as a small red shift of about 1 meV of the PL energy. These observations are discussed in terms of a model taking into account the magnetization dependent height of EuS potential barrier for electrons in PbS quantum well.
12
Content available remote Magnetic properties of (Eu,Gd)Te semiconductor layers
Dziawa P., Osinniy V., Dobrowolski W., Dybko K., Łusakowska E., Taliashvili B., Story T., Smits C.J.P., Swagten H.J.M.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
777--781
EN
In (Eu,Gd)Te semiconductor alloys a well known antiferromagnetic semiconductor compound EuTe is transformed into n-type ferromagnetic alloy. This effect is driven by the RKKY interaction via conducting electrons created due to substitution of Gd3+ for Eu2+ ions. It is expected that due to the high degree of electron spin polarization (Eu,Gd)Te can be exploited in new semiconductor spintronic heterostructures as a model injector of spin-polarized carriers. The (Eu,Gd)Te monocrystalline layers with Gd content up to 5 at. % were grown by MBE on BaF2 (111) substrates with either PbTe or EuTe buffer layers. The measurements of magnetic susceptibility and magnetization revealed that the ferromagnetic transition with the Curie temperature TC=11- 15 K is observed in (Eu,Gd)Te layers with n-type metallic conductivity. An analysis of the magnetization of (Eu,Gd)Te was carried out in a broad range of magnetic fields applied along various crystal directions both in- and out-of layer plane. It revealed, in particular, that a rapid low field ferromagnetic response of (Eu,Gd)Te layer is followed by a paramagnetic-like further increase towards the full saturatio
13
Content available remote Analysis of magnetisation reversal at the exchange-biased interface using Ising approach
Błachowicz T., Wieja M.
Materials Science Poland
|
2006
|
Vol. 24, No. 3
643--648
EN
This paper provides the results of exchange-bias simulation of a single ferromagnetic (FM) layer coupled to a quenched antiferromagnetic (AFM) region using a Random Field Ising Model (RFIM) approach. Using the RFIM algorithm the shapes of exchange-biased hysteresis loops, featuring perpendicular magnetic anisotropies, were obtained. Providing a possible explanation of this effect the recognized stable part of an interface magnetisation represented by unreversed spins at the interface was evidently simulated. Obtained results are consistent with the Domain State Model (DSM) model, where a part of the AFM interface magnetisation is stable during hysteresis loop creation
14
Content available remote Sensory GMR jako praktyczne zastosowanie odkryć spintroniki
Majewski J.
Napędy i Sterowanie
|
2005
|
R. 7, nr 4
58--61
PL
Do niedawna za najważniejszą właściwość elektronu uważano to, że jest on nośnikiem elementarnego ładunku elektrycznego. Fakt, iż elektrony posiadają także spin, czyli że nieustannie wirują wokół własnej osi jak miniaturowe żyroskopy i ten ruch wirowy naładowanego elektronu nadaje mu spinowy moment magnetyczny - był istotny głównie przy objaśnianiu zjawiska ferromagnetyzmu.
15
Aktualne kierunki rozwoju elektroniki spinowej
Korzec Z.
Elektronika : prace naukowe
|
2005
|
nr 10
7-22
PL
Elektronika spinowa (spintronika) stanowi jedną z dróg rozwoju nanoelektroniki. Artykuł poświęcony jest omówieniu zasad działania i najważniejszych zastosowań przyrządów spintroniki, opartych na zjawiskach magnetycznych występujących w magnetycznych strukturach wielowarstwowych typu GMR oraz tunelowych złączach magnetycznych. Szczególna uwaga została zwrócona na jedno z najważniejszych zastosowań elektroniki spinowej, jakim są pamięci magnetyczne, obecnie powszechnie stosowane, m.in. w systemach napędowych dysków twardych i telefonii komórkowej.
EN
The field of spintronics has its roots dating back to the 1930, when it was first discovered that electrical transport in ferromagnetic metals is comprised of largely independent currents of majority and minority spinelectrons. Generating, manipulating and detecting such spin-polarized current is the essence of spin-electronics. The use of electron spin as a new degree-of-freedom in electron devices offers new functionality and performance. The discovery of enhanced magneto-resistance and oscillatory interlayer exchange coupling in transition metal-multilayers has enabled the development of new classes of magnetically engineered magnetic thin-film materials suitable for advanced magnetic sensors and magnetic random access memories. Commercial success has already been realized in all-metal structures based on giand magneto-resistance a new and entirely spin-derived functionality. The giant magneto-resistance effect (GMR) is due to spin transport between two ferromagnetic metals separated by a nonmagnetic spacer metal and refers to the increase in resistance which occurs when the relative orientation of the magnetic moments of the two magnetic layers is changed from parallel to anti-parallel. The largest GMR in magnetic multilayers are noted for magnetic structures containing the thinnest possible magnetic and nonmagnetic layers. This is because the GMR effect is dominated by spin-dependant scattering at the magnetic/nonmagnetic interfaces. IBM was the first company, which have used GMR in read head sensors. Now this kind of heads is found in virtually all hard disk drives produced today. As the areal density of magnetic recording disc drives continues to increase at an extremely high rate an alternatives to GMR sensors are needed. One of various approaches is introducing the spintronic devices with magnetic tunnel junctions, which are based on quantum mechanical tunneling of spin-polarized electrons through a very thin insulator layer. As nowadays the spin electronics became recognized as an large, dynamic field of research representing one of the most promising way for future technology, in this paper only an general overview is given and the main points are underlined.
16
Content available remote Spintronika
Wilamowski Z.
Postępy Fizyki
|
2004
|
T. 55, z. 3
115-118
EN
Basic ideas and recent developments in the new field of spintronics are discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.