Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: spin-on method

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki

Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 9

111-113

W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu warunków nanoszenia rozwirowywanych roztworów krzemowych o wysokiej koncentracji domieszki na parametry elektryczne warstwy emiterowej ogniwa słonecznego.

This paper presents the results on study of the influence of experimental conditions for the deposition of spin-on glass silicon solutions of the hic dopant concentration on the electrical parameters of the solar cells emitte layers.

Wpływ warunków nanoszenia szkliw krzemowych na jakość uzyskanej powierzchni

Wróbel E., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

21-23

Głównym celem przedstawionych w artykule badań była analiza warunków nanoszenia i formowania warstw dielektrycznych na jakość tych warstw. Warstwy obserwowano za pomocą mikroskopu Axio Imager MAT firmy Carl Zeiss. Analizowano powierzchnię pod kątem powstałych defektów i istniejących zanieczyszczeń.

The main objective of the research in the article was an analysis of the conditions applied and the formation of dielectric layers on the quality of these layers. Layers were observed with microscope mikroskopu Axio Imager MAT Carl Zeiss firm. Analyzed in terms of surface defects created and the existing pollution.

Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących

Wróbel E., Filipowski W., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 11

70-72

W trakcie prac przeprowadzono rozważania teoretyczne i badania doświadczalne, które mają dać odpowiedź, jak kształtować warstwę emiterową w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Źródłem domieszki był arsen. Aplikacja źródła odbywała się poprzez rozwirowanie. Analizowano dwa podstawowe parametry charakteryzujące warstwę dyfuzyjną: rezystancję powierzchniową Rs [W/D] oraz głębokość położenia złącza xj [µm]. Otrzymane struktury półprzewodnikowe były oceniane pod kątem przydatności do użycia jako ogniwa słoneczne. Dokonano również oceny, czy proces wytwarzania jest opłacalny i czy ma szansę w zastosowaniu na skalę przemysłową.

The study covered theoretical and experimental investigations which should answer the question how to form a doped layer during diffusion doping. Arsenic was the dopant applied by the spin-on technique. The two most important parameters of emitter layers are surface resistance RS[W/D] and xj junction depth [µm]. An analysis of their results helps to determine whether a given process is reproducible. Moreover, this helps assess the quality of a finished product. Strict and frequent control of the parameters detects the weakest points of the process of diffusion layer production. This results in an increase in the output which is the most important parameter of industrial production.