Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2018

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: spektroskopia termodesorpcyjna

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Termodesorpcja ksenonu implantowanego do krzemu

Turek M., Droździel A., Pyszniak K., Wójtowicz A., Yushkevich Y.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 7

157--161

Artykuł prezentuje wyniki badań termodesorpcji Xe zaimplantowanego do krzemu (energie 80 keV, 100 keV oraz 150 keV). Zaobserwowano gwałtowne emisje Xe w temperaturach od 1060 K do ~1600 K, pochodzące najprawdopodobniej od uwalniania gazu zgromadzonego w aglomeratach we wnękach w matrycy Si. Oszacowano wartości energii aktywacji desorpcji – jest ona rzędu 3 do 3,4 eV w rozpatrywanym zakresie energii implantacji, a więc jest większa niż dla badanych wcześniej lżejszych gazów szlachetnych w matrycy Si.

Studies of the thermal desorption of Xe implanted into Si (wih energies 80 keV, 100 keV and 150 keV) are presented Sudden Xe emission at temperatures ranging from 1060 K up to ~1600 K, probably due to releases of gas bubles agglomerated in Si matrix cavities are observed.Values of deorption activation energy are estimated - it is in the range 3-3.4 eV in the considered implantation energy range, larger than for lighter noble gases implanted into Si.