Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych

Gutt T., Piskorski K., Przewłocki H. M., Borowicz P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

44-46

PL

W artykule omówiono wybrane badania struktur na SiC, przeprowadzone w ramach realizacji projektu InTechFun. Wymagały one zastosowania kompleksu zaawansowanych metod optycznych, fotoelektrycznych i elektrycznych, które pozwoliły na ujawnienie własności strukturalnych kontaktów krzemkowych do SiC oraz wpływu mikro-naprężeń mechanicznych w bramce na niektóre parametry kondensatorów MOS na węgliku krzemu. W szczególności wykonano metodą spektroskopii mikro-ramanowskiej analizę właściwości warstwy węglowej w kontaktach omowych na węgliku krzemu przez porównanie struktury widzianej od strony krzemków oraz podłoża z SiC. Zbadano także metodą foto-elektryczną zależności kontaktowej różnicy potencjałów (φ MS), wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych bramka-izolator (E BG) oraz izolator-półprzewod-nik (E BS) oraz napięcie wyprostowanych pasm (V FB) od stosunku krawędzi do powierzchni bramki (współczynnik R = obwód/powierzchnia) dla różnych materiałów bramek w układzie bramka-SiO₂-SiC.

EN

The results of MOS SiC structures investigation under InTechFun project were presented. Complex and advanced methods, based on electrical, photo-electric and optical measurements were required in order to determine the microstructural properties of the ohmic contacts to SiC and to detect the influence of the mechanical stress distribution under the gate on some electrical parameters in the MOS structures. In the first study, micro-Raman spectroscopy was adopted to analyse the microstructure of silicide/carbonic layers formed within the ohmic contact to SiC. The spectra obtained by illuminating the contact once from the top and then from the bottom were compared. In the second study, the effective contact potential difference φMS, the barrier height at the gate-dielectric interface E BG and the flat-band in semiconductor voltage VFB of the MOS 3C-SiC structure were measured using several electric and photoelectric techniques.

2

Spektroskopia mikro-ramanowska w ocenie powłok HA na Ti

Strzała A., Marszałek M.

Engineering of Biomaterials

|

2011

|

Vol. 14, no. 106-108

26--29

PL

W celu otrzymania powłok biozgodnych i bioaktywnych na substratach z czystego tytanu formowano hydroksyapatyt Ca10(PO4)6(OH)2 (HA) przy użyciu metody hydrotermalnej. Przygotowanie tego rodzaju powłok na metalicznych endoprotezach stawu biodrowego powinno poprawić osseointegrację implantu. Aby przyspieszyć strącanie HA na powierzchni me talu oraz w celu zwiększenia jednorodności powłoki zastosowano różne metody przygotowania podłoża: trawienie w kwasie (HF), zanurzenie w zasadzie (NaOH), zanurzenie w roztworze o składzie zbliżonym do osocza krwi ludzkiej (roztworze Hanka) oraz implantację jonową. Otrzymane powłoki zostały zbadane przy użyciu spektroskopii mikro-ramanowskiej, która jest skuteczną metodą określania składu chemicznego cienkich warstw.

EN

In order to obtain biocompatible and bioactive coating, hydroxyapatite Ca10(PO4)6(OH)2 (HA) was formed using hydrothermal method on pure titanium substrates. Preparation of such type of coating on metallic hip prosthesis should enhance implant’s osseointegration. To accelerate HA precipitation on metal surface and to increase the homogenity of the coating different surface preparation methods were used: acid etching (HF), alkali treatment (NaOH), immersion in salt solution which composition is near to the composition of human blood plasma (Hank’s solution) and ion implantation. The deposited coatings were investigated by Raman microspectroscopy which is a powerful method to determine chemical composition of thin coatings.

3

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

Korbutowicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

30-32

PL

Artykuł omawia zagadnienia związane z możliwościami jakie daje spektroskopia mikrbramanowska w analizie warstw epitaksjalnych azotku galu: wyznaczanie naprężeń i rozkładu naprężeń oraz odkształcenia w strukturach epitaksjalnych, a tym samym określenie jakości kryształu powierzchniowego. Możliwość jakościowej i ilościowej analizy wynika z faktu, że widmo Ramana jest charakterystyczne dla danego rodzaju atomów lub cząsteczek (ich drgań), zaś jego intensywność zależy od liczby rozproszonych nieelastycznie fotonów.

EN

A paper is devoted to possibility of the microRaman speetroscopy applications in area of gallium nitride epilayers analyzes, especially determination of the stress and the stress distribution as well as strains in epitaxial structures. It can give information about the surface's crystal quality. Micro-Raman spectroscopy is one of the sensitive methods for giving information about the stress in epilayers. These huge possibilities of quality and quantity estimation arise from characteristic reaction of atoms and molecules - i.e. their vibrafions and Raman spectrum intensity depends on the inelastic scattered photons quantity.