Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: spektroskopia absorpcyjna w podczerwieni

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Korelacyjny pomiar gęstości widmowej mocy szumów detektorów fotonowych do spektroskopii absorpcyjnej

Achtenberg Krzysztof, Mikołajczyk Janusz, Bielecki Zbigniew, Wojtas Jacek

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2020

Vol. 69, nr 4

73--83

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów gęstości widmowej napięcia szumów detektorów fotonowych o małych rezystancjach przy użyciu specjalnie opracowanego stanowiska pomiarowego. Badania tych detektorów mają duże znaczenie dla wielu aplikacji. Są one szczególnie istotne dla układów laserowej spektroskopii absorpcyjnej do wykrywania śladowych ilości gazów. Uzyskiwana w nich granica wykrywalności jest bezpośrednio związana nie tylko z szumami źródeł promieniowania i szumem tła, lecz także z szumami detektora oraz kolejnych stopni fotoodbiornika. Zastosowanie w opracowanym systemie specjalnie zaprojektowanych ultramałoszumowych torów pomiarowych (wzmacniacze o napięciu szumów 3,6 × 10⁻¹⁹ V²/Hz dla f > 1 kHz) oraz operacji korelacji sygnałów w czasie 10 minut umożliwiło uzyskanie szumu tła poniżej 10⁻¹⁸ V²/Hz dla f > 10 Hz oraz poniżej 10⁻¹⁹ V²/Hz dla f > 1 kHz. Efektywność systemu zweryfikowano poprzez pomiary referencyjnych rezystorów, a następnie detektora z supersieci drugiego rodzaju (T2SL) wykonanego z InAs/InAsSb.

The paper presents noise measurements of low-resistance photon detectors with a specially developed system. These measurements are significant for many applications. This issue is particularly critical for laser absorption spectroscopy systems to detect trace amounts of gases. In these systems, the detection limit is determined by noise origins, e.g., light source, background, and detector noise and its readout electronics. The use of some specially designed components of the system (low-noise - 3.6 × 10⁻¹⁹ V²/Hz for f >1 kHz) cross-correlation signal processing provides to obtain a measuring floor noise below 10⁻¹⁸ V²/Hz for f > 10 Hz and below 10⁻¹⁹ V²/Hz for f > 1 kHz after ten minutes’ analysis. Measurements of some reference resistors have verified the system’s performance. Finally, the system was also applied to determine the spectral noise density of the II-Type SuperLattice photodetector made of InAs/InAsSb.

Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI

Możdżonek M., Piątkowski B., Kozłowski A.

Materiały Elektroniczne

2008

T. 36, nr 1

38-48

Badania tlenków w pobliżu interfejsu SiO2//Si powstałego w wyniku połączenia płytek krzemowych oraz interfejsu Si/SiO2 uformowanego w procesie termicznego utleniania płytek Si w łączonych strukturach SOI przeprowadzono metodą fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni. Określono zmiany energii fononów TO i LO wiązań O-Si-O w zależności od grubości tlenku, pocieniając badane tlenki poprzez trawienie w rozcieńczonym kwasie fluorowodorowym. Uzyskane wyniki zmian energii fononów optycznych w funkcji grubości tlenków pokazują, że w pobliżu obu interfejsów istnieją obszary substechiometrycznego SiOx. Struktura tlenków w tych obszarach jest jednak różna. W przypadku interfejsu SiO2//Si występuje SiO2 + Si, co powoduje przesunięcie linii absorpcyjnej modu TO w stronę wyższych liczb falowych. Zmiany położenia linii modu TO obserwowane są dla tlenków o grubości poniżej 4,0 nm. W interfejsie Si/SiO2 warstwa SiOx jest taka sama jak warstwa przejściowa w tlenkach termicznych. Badania absorpcyjne wykonano dla tlenków w zakresie grubości l,5-20nm.

Infrared absorption spectroscopy has been used to investigate the silicon oxide near the two interfaces in the SOI structure, the SiO2//Si interface created by bonding of two silicon wafers and the Si/SiO2 interface created by thermal oxidation. The oxide films were thinned by etching in dilute hydrofluoric acid for the spectroscopic analysis. The behavior of the transverse (TO) and longitudinal (LO) optical phonon modes, which are associated with asymetric streching the O-Si-O bonds as a function of the oxide film thickness provides an evidence that near the both interfaces exist region of sub-stoichiometric silicon oxide (SiO ). The structure of this SiOx layer is different at each interface. We propose a model in which the sub-oxide layer in the SiO2//Si interface is composed with SiO2 and Si. We found that the TO phonon frequency apparently starts to shift toward higher wave number at around 4,0 nm from the interface. The structure of this SiOx layer in the Si/SiO2 interface is just the same as that observed for the thermal oxide. Spectroscopic investigations were performed for the oxide films range from 1,5 nm to 20 nm.

Badania oleju smarowego metodą spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni

Litwiński M., Piec P.

Zeszyty Naukowe Instytutu Pojazdów / Politechnika Warszawska

2006

z. 1/60

151--156

Praca dotyczy badań oleju smarowego metodą spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni. W badaniach tych wykazano wpływ czasu eksploatacji silnika spalinowego na zmiany wartości absorpcji badanego oleju. W pracy zamieszczono, w formie wykresu, wybrane wyniki badań spektrometrycznych w podczerwieni określonych próbek oleju smarowego. Przedstawione w pracy wyniki badań oleju stanowią punkt odniesienia w aspekcie analizy wpływu warunków pracy badanego środka transportu na zmianę charakterystyki spektrometrycznej w podczerwieni. Analiza eksploatacyjnych warunków pracy prowadzona jest za pomocą programu komputerowego typu Volvo ROADRELAY.

The paper concern the investigation of lubrication oil with infra-red absorption spectroscopy method. In this investigation the technical operation time influence of combustion engine on the absorption value change of investigated oil has been showed. In this paper, in graph form, choosen results of infra-red absorption spectroscopy investigation of lubrication oil samples have been presented. The investigation results of lubrication oil, presented in the paper, make the point in analysis aspect of means transportation work condition influence on the change of infra-red absorption spectroscopy characteristic. Analysis of operational work condition is performed by computer program of type Volvo ROADRELAY.