Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Szkło jako obiekt zainteresowania chemików analityków. Cz. I - szkło i metody badania jego składu

Nowak A., Wagner B., Bulska E.

Analityka : nauka i praktyka

|

2009

|

nr 3

42-47

2

Crystal quality and electrical properties of p-type GaN thin film on Si(111) substrate by metal-organic chemical vapour deposition MOCVD

Wu G. M., Hsieh T. H.

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

|

2007

|

Vol. 24, nr 1

193-197

EN

Purpose: In this paper, p-GaN samples have been grown on silicon substrates under various processing conditions. The effects of growth temperature and thermal annealing on the crystal quality and strain were carefully investigated. The electrical properties such as hole concentration and mobility would be discussed. Design/methodology/approach: GaN-based III—V semiconductors have become promising materials for short-wavelength optoelectronic devices because of their large and direct band gap energies. In this paper, p-GaN has been grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) at 900 , 950, 1000, and 1050 degrees centigrade with low temperature LT-deposited AlN/AlGaN buffer layer. Findings: The mobility was achieved at 150 square cm/Vs and the hole concentration was 8x10 to the 17 - cubic cm. SIMS and XRD were used to measure and explain the relationships between hole concentration and the growth temperature. When the growth temperature was increased to 1000 degrees centigrade, the hole concentration was increased by ten times. According to the experimental results, the optimal growth temperature was 1000 degrees centigrade. After the thermal annealing process at temperature 850 degrees centigrade for 2 minutes, the FWHM of p-GaN was lowered to 617 arcsec. The effects of growth temperature were explained in the two temperature regions. From 900 to 1000 degrees centigrade, the incorporation rate of Mg was slightly increased and the strain decreased with the growth temperature. Mg would provide holes and the lower strain would result in better crystal quality. The crystal quality and Mg concentration effects on hole concentration below 1000 degrees centigrade was thus beneficiary. On the other hand, when the growth temperature was further increased, the strain and FWHM increased while hole concentration decreased at 1050 degrees centigrade. At this high temperature, Si might become donor in GaN. Research limitations/implications: It was suggested that the hole concentration reduced at 1050 degrees centigrade due to the Si diffusion and the strain caused by Mg dopant. According to the experimental data, the optimal growth temperature was 1000 degrees centigrade. After the annealing process, the FWHM of p-GaN was lowered to 611 arcsec. Originality/value: Determination of crystal quality and electrical properties of p-type GaN thin film on Si(111) substrate by metal-organic chemical vapor deposition MOCVD.

3

Badanie nanostruktur warstwowych InAlGaAs/AlGaAs/GaAs, metodą SIMS przy stosowaniu wiązki jonów o ultra-niskiej energii

Konarski P., Ćwil M., Zaremba M., Radziewicz D., Ściana B., Kozłowski J.

Prace Przemysłowego Instytutu Elektroniki

|

2004

|

nr 150

160--171

PL

Przeprowadzono analizę profilową nanostruktur warstwowych wytworzonych metodą epitaksji z fazy gazowej związków metalo-organicznych (ang. MOVPE). Do analizy zastosowano spektrometrię mas jonów wtórnych (SIMS) - wykorzystano wiązkę jonów o ultra niskiej energii. Badanymi układami były wielokrotne studnie kwantowe (ang. MQW) składające się ze związków InAlGaAs, AlGaAs oraz GaAs. Struktury naniesione były na podłoże GaAs i składały się z buforu 150 - 500 nm GaAs, rejonu studni kwantowych oraz warstwy przykrywającej 50-70 nm GaAs. Rejon studni kwantowych jest trzywarstwową strukturą okresową składającą się z warstw InxAlyGai1-x-yAs o grubości 4,5 - 9 nm oraz warstw GaAs lub AlzGa1-zAs o grubości 30 nm. Analizy profilowe SIMS przeprowadzono stosując wiązkę jonów Ar+ o energii 880 e V i na granicy warstw GaAs/InAlGaAs układu wielokrotnych studni kwantowych uzyskano głębokościową zdolność rozdzielczą (16%-84%) ok. 3 nm. Porównanie wyników SIMS z wynikami uzyskanymi metodą wysokorozdzielczej dyfrakcji promieniowania X (ang. HRXRD) pozwoliło na pomiar grubości poszczególnych warstw badanych struktur a także na pomiar molowej zawartości indu w czteroskładnikowym związku InAlGaAs.

EN

Ultra-low energy secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profile analysis was performed on metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown structures. The layered systems are multi-quantum well (MQW) structures composed of InAlGaAs, AlGaAs and GaAs. The structures typically consisted of GaAs substrate, 150 - 500 nm GaAs buffer, MQW region and 50 - 70 nm GaAs cap layer. The MQW is a 3-layer period superlattice made of 4.5 - 9 nm thick InxAlyGa1-x-yAs layers and 30 nm thick GaAs or AlzGa1-zAs layers. SIMS analyses performed with the use of 880 eV Ar+ ion beam give depth profile resolution (16%-84%) of ~3 nm measured at GaAs/InAlGaAs interface of MQW structure. Comparison of SIMS data with high resolution X-ray diffraction (HRXRD) allows to measure thickness of particular layers in the studied structures as well as indium molar fraction in quaternary compound InAlGaAs.

4

Secondary ion mass spectrometry: a powerful tool for diffusion studies in solids

De Souza R. A., Martin M.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2004

|

Vol. 49, iss. 2

431-446

EN

We disuss the use of secondary ion mass spectrometry (SIMS) as a powerful tool for diffusion studies in solids. The basic principles of SIMS are introduced and examples for oxygen diffusion and cation diffusion in oxides are given. It is shown that SIMS is capable of analysing diffusion profiles on a broad length scale, from some tens of nanometres to several hundred micrometres, which makes it possible to measure diffusion coefficients from ab out 10(-22) m2s(-1) to 10(-10) m2s(-1).

PL

W pracy przedstawiono zalety SIMS jako narzędzia badania dyfuzji w ciałach stałych. Omówiono zasady metody SIMS oraz przykłady dyfuzji tlenu i kationów w tlenkach. Wykazano, ze metodą tą można analizować profile dyfuzji w szerokim zakresie odległości, od dziesiątek nanometrów do setek mikrometrów, co sprowadza sie do mozliwości pomiaru współczynnika dyfuzji w zakresie od 10 (do -18 potęgi) cm kwadr. s-1 do 10 (do-6potęgi)cm kwadr. s-1.