Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2008

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: spectroscopic elipsometry

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badanie wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs metodą elipsometrii spektralnej

Kulik M., Rzodkiewicz W., Żuk J., Komarov F.

Przegląd Elektrotechniczny

2008

R. 84, nr 3

196-199

Zaprezentowano rezultaty badania wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs. Badania przeprowadzono metodą elipsometrii spektralnej.

In this paper we present the results of spectroscopic ellipsometry study of changes in optical constants (refraction and extinction indices) of near-surface layers of GaAs caused by ion implantation. Parameters of models describing the samples have been compared with the results obtained for these materials by using the study with RBS-Channeling methods.

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

Kulik M., Żuk J., Rzodkiewicz W., Pyszniak K., Droździel A., Turek M., Prucnal S., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 7-8

15-18

Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej w przypadku obu politypów SiC.

The paper presents results of spectroscopic ellipsometry and micro-Raman scattering studies of Al⁺ ion-implanted 6H-SiC containing 15R-SiC polytype inclusion. Multiple implantation with 5 different Al⁺ energies and fluences was performed using the UNIMAS ion implanter with a modified ion source. The sample temperature was maintained at 500°C during the implantation process. Micro-Raman scattering and spectroscopic ellipsometry investigations indicate the formation of post-implantation amorphous regions in a subsurface region of both SiC polytypes.