Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Mobilny detektor kolorów dla osób niewidomych

Wołowicz N., Pawłowski P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2017

|

Vol. 58, nr 10

35--38

PL

Praca podejmuje temat wspomagania osób niepełnosprawnych za pomocą nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Przedstawiono projekt ergonomicznego, mobilnego urządzenia dedykowanego dla osób niewidomych, umożliwiającego testowanie kolorystyki przedmiotów. W trakcie badań wstępnych przeprowadzono ankietę z osobami niewidomymi, aby doprecyzować potrzeby i najważniejsze funkcje detektora. Przy realizacji projektu rozwiązano problemy związane z przetwarzaniem wartości pomiarowych RGB z czujników na znormalizowane składowe w przyjętym modelu barw HSL. W efekcie końcowym zrealizowano i przetestowano oryginalne, rozwojowe urządzenie oferujące kilka trybów detekcji kolorów (w najdokładniejszym trybie rozpoznające 15 kolorów w 5 jasnościach), pomiar natężenia światła, a także ładowanie bezprzewodowe. Układ monitorowania stanu pracy rozwiązał problemy zabezpieczeń obwodu, zasilania bateryjnego oraz ładowania urządzenia, umożliwiając wielogodzinny czas pracy oraz głosową informację o stanie urządzenia.

EN

This paper describes a design of an ergonomic mobile device dedicated for the blind people. The device allows testing of colors of objects and is an example of modern electronic device for the support of people with disabilities. Under the preliminary tests the authors carried out a survey of blind people to clarify the needs and the most desirable functions of the detector. During the realization of the project the authors solved problems of translating of the measured values by the RGB sensors to the standardized components of the HSL color model. Finally, the authors realized and tested an original device, which offers several modes of recognition of surface colors (in the most accurate mode it recognizes 15 colors in 5 levels of brightness). Additionally, the detector can measure the intensity of light. The results of the measurements and information of the device status are presented by voice messages. A built-in power monitoring circuit protects the inner circuitry, powers the device, charges the battery wireless, and enables many hours of working time.

2

Fabrication and photoelectrical properties of a novel violet and blue enhanced SINP silicon photovoltaic device

Bo H., Ma Z. Q., Jing X., Lei Z., Sheng Z. N., Feng L., Feng L., Cheng S., Ling S., Jie M. X., Jie M. X., Yue Z. C., Shan Y. Z.., Ting Y. Y.

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 3

547-560

EN

A novel ITO/SiO2/np-silicon violet and blue enhanced photovoltaic device with SINP structure has been fabricated by thermal diffusion of phosphorus. The shallow junction was formed to enhance the spectral responsivity within the wavelength range of 400-600 nm. An ultrathin silicon dioxide was thermally grown at low temperature and RF sputtering of ITO antireflection coating to reduce the reflected light and enhance the sensitivity. The crystalline structure, optical and electric properties of ITO film were determined by an XRD, UV-VIS spectrophotometer, a four point probe and the Hall effect measurement, respectively. The results show that ITO film has high quality. The current-voltage (I-V) characteristics, spectral response and responsivity of the photovoltaic device with high quantum efficiency of violet SINP and deep junction SINP structure were calculated and analyzed in detail.

3

Technology and characterisation of GaAsN/GaAs heterostructures for photodetector applications

Ściana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Boratyński B., Radziewicz D., Tłaczała M., Serafińczuk J., Poloczek P., Sęk G., Misiewicz J.

Opto-Electronics Review

|

2008

|

Vol. 16, No. 1

1-7

EN

The nitrogen-containing AIIIBV semiconductor alloys, so-called diluted nitrides (AIIIBV-N, have been extensively studied recently. Unusual properties of these materials make them very promising for applications in lasers and very efficient multijunction solar cells. This work presents the technology and properties of undoped GaAs1-xNxGaAs heterostructures used as active regions in the construction of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. The atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE) was applied for growing MSM test structures. Their structural and optical properties were examined using high resolution X-ray diffraction (HRXRD), photoluminescence (PL), and photoreflectance spectroscopy (PR). Chemical wet etching was applied for forming an active region and a multifinger Schottky metallization was used as MSM contacts. Dark and illuminated current-voltage characteristics were measured. Based on the obtained results, the main detector parameters as responsivity and spectral response were estimated.

4

Niechłodzone i minimalnie chłodzone detektory średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji

Piotrowski A., Gawron W., Kłos K., Rutkowski J., Orman Z. Z., Pawluczyk J., Stanaszek D., Mucha H., Piotrowski J., Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

112-121

PL

Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. i Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 5.1 PBZ-MiN-009/T11/2003 pt.: Opracowanie i wykonanie niechłodzonych i minimalnie chłodzonych detektorów średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji. W ramach tej pracy opracowano technologie i przebadano właściwości dwu klas detektorów: detektorów do spektroskopii Fouriera zakresu 3...16 mm i detektorów do szerokopasmowej (1 Gb/s) łączności optycznej w otwartej przestrzeni.

EN

This article presents scientific results of works carried out in VIGO System S.A. and Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 5.1 PBZ-MiN-009/T11 /2003 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Elaboration and realization of new generation near room temperature middle- and long-wavelength infrared detectors. The paper describes the technology and properties of two types of detectors: photodetectors for Fourier spectroscopy and photodetectors for wide band optical space communication.

5

Wpływ długości światłowodu "side-light" na jego widmo promieniowania

Zajkowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 3

24-25

PL

W artykule omówiono przyczyny powstawania zmian w składzie widmowym promieniowania optycznego emitowanego z powierzchni walcowej światłowodów o bocznej emisji strumienia świetlnego. Przedstawiono wyniki pomiarów widma promieniowania w funkcji odległości od czoła wejściowego włókna światłowodowego typu "side-light" z grupy "solid core".

EN

This paper discusses reasons for changes in spectral composition of optical radiation emitted from side - surfaces of side light optical fibres. Results of measurements of radiation spectrum against distance from the front-surface of the side-light, solid-core optical fibre were presented.