Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Development of the photostimulated Kelvin Probe Force Microscopy setup. The tool for nanoscale diagnostic of optoelectrical properties of the surface

Sikora A., Bednarz Ł.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

166-169

EN

In this paper we describe the development of the photostimulated Kelvin Probe Force Microscopy (ps-KPFM) measurement technique allowing to perform mapping of the electrical response of the material to optical excitation. The general information concerning the principles of the measurement setup and the data acquisition procedures as well as the examples of collected data is shown. In particular, the solution allowing to perform a number of measurements according to specific protocol is here sescribed. The developed system is capable of delivering the information about the electrical properties changes due to the specific light wawelength illumination of LED’s in range from 390 nm to 940 nm as well as for the xenon lamp.

PL

W niniejszej pracy zaprezentowano konstrukcję systemu pomiarowego fotostymulowanej mikroskopii sił z sondą Kelvina (ps-KPFM), umożliwiającą mapowanie odpowiedzi elektrycznej powierzchni na pobudzenie optyczne. Przedstawiono kluczowe informacje dotyczące konstrukcji, procedur pomiarowych, jak również zaprezentowano przykłady wyników pomiarowych. Do szczególnych cech opisanego układu należy możliwość wykonywania pomiarów z wykorzystaniem wcześniej opracowanych protokołów. Zbudowany układ pomiarowy umożliwia uzyskanie informacji o optoelektrycznych właściwościach powierzchni dla pobudzenia źródłami światła LED w przedziale od 390 nm do 940 nm oraz lampą ksenonową.

2

Kelvin probe error compensation based on harmonic analysis of measurement signal

Tyavlovsky A. K., Zharin A. L., Gusev O. K., Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 3

251--254

EN

Reducing of gap-depended errors of Kelvin probe’s measurement signal is achieved by harmonic analysis of measurement signal itself, eliminating the need in optical or other distance measurements. Probe-to-sample gap value is calculated via the signal’s second to first harmonic amplitudes ratio. Gap-depended error compensation can be made in real-time mode as it is shown in the experiment.

PL

Zmniejszanie błędów szczeliny zależnego od sygnału pomiarowego sondą Kelvina uzyskuje się za pomocą analizy harmonicznej samego sygnału pomiarowego, co eliminuje potrzebę używania optycznych lub innych pomiarów odległości. Wartość szczeliny sondy od próbki oblicza się poprzez stosunek amplitud harmonicznych drugiego sygnału do pierwszego. Kompensacja błędu szczeliny może odbywać się trybie czasu rzeczywistego, jak pokazano w doświadczeniu.

3

System for the potential map of metal and semiconductor surfaces monitoring

Tyavlovsky A., Zharin A.

Pomiary, Automatyka, Komputery w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2010

|

nr 1

24-26

EN

The development of the system for the metal and semiconductor surfaces potential mapping is described. The system consists of a personal computer, developed hardware, named IS KPR and specialized software. Examples of practical application of above system are discussed.

PL

Opisano budowę systemu do monitoringu rozkładu potencjałów na powierzchni metali i półprzewodników. Zawiera on przenośny komputer, opracowany podzespół o nazwie IS KPR I specjalizowane oprogramowanie. Przedyskutowano przykłady zastosowania w praktyce tego systemu.

4

Diagnostyka struktur półprzewodnikowych z wykorzystaniem zaawansowanych technik bliskiego pola

Sikora A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

93-95

PL

W artykule omówiono możliwości wykorzystania mikroskopii bliskiego pola w diagnostyce elementów dyskretnych układów scalonych. Wysoka zdolność rozdzielcza tej techniki pomiarowej, w połączeniu z możliwością uzyskania szerokiego spektrum informacji na temat badanego obiektu, czyni ją doskonałym narzędziem w weryfikacji niezawodności nowo projektowanych układów scalonych. Zaprezentowane wyniki demonstrują efektywność mikroskopii bliskiego pola w ocenie funkcjonowania poszczególnych elementów.

EN

In this article the possibility of utilization of near field microscopy in diagnostic of discrete components in integrated circuits was discused. Due to high spatial resolution and wide spectra of delivere information about tested object, this technique is a powerful tool verification of the reliability of newly developed integrated circuits. Presented results will show effectiveness of the near field microscopy in evaluation of operation of certain components.