Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: solar cell modelling

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Solar cell parameters extraction optimization using Lambert function

Aichouba Mohammed El Amine, Rahli Mustapha

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 4

227--231

Solar cells are characterized by internal electrical parameters not displayed by the manufacturer. Their identification is necessary because it allows the photovoltaic system simulation and optimization. Currently, the new and simple extraction methods development is a challenge for researchers. In this work, a new approach is presented for exact determination the single-diode model multi-crystalline silicon cell five parameters. Our method consists in calculating the parameters from the ideality factor estimation using the Lambert function and the parasitic resistances curve (series and shunt). Absolute and relative errors are also calculated to show the proposed method importance over another method.

W artykule zaprezentowano mtodę opisu matematycznego obwodu fotowoltaicznego. Metoda polega na opisie parametrów z wykorzystaniem funkcji Lamberta. . Określono błąd przybliżenia tego modelu matematycznego.

Modelowanie zależności temperaturowej parametrów ogniw słonecznych ze studniami kwantowymi

Prażmowska J., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 1

91-93

Za pomocą symulacji komputerowych oraz wykorzystania odpowiedniego algorytmu zoptymalizowano strukturę ogniwa p-i-n ze studniami GaAs oraz barierami AlxGa1-xAs w obszarze "i". Jako wynik otrzymano strukturę p-i(GaAs/Al0.1Ga0.9As)-n z dwoma studniami kwantowymi. W dalszej części pracy badano wpływ temperatury na parametry ogniwa zoptymalizowanego, takie jak: prąd zwarcia, napięcie rozwarcia, maksymalny prąd i napięcie oraz sprawność konwersji. Wzrost temperatury nie wprowadził spodziewanego polepszenia sprawności konwersji przyrządu. Wyniki porównano ze strukturami odniesienia p-i-n, w których zastosowano obszar "i" GaAs lub AI01Ga09As. Wszystkie symulacje wykonano za pomocą programu SimWindows program v. 1.5.0

Within intrinsic layer of ordinary p-i-n solar cell GaAs wells and AlxGa1-xAs barriers were inserted. Solar cells structure was optimized by means of computer simulations assuming dedicated algorithm. In a result p-i(GaAs/AI0.1Ga0.9As)-n structure with two quantum wells was obtained. Influence of temperature of solar cell device on its parameters like: short-circuit current, open-circuit voltage, maximum current and voltage, and conversion efficiency was investigated. Temperature increase did not contributed significantly to the expected extension of investigated device's conversion efficiency. Two reference p-i-n solar cell structures with intrinsic layer composed of GaAs and AI0.1Ga0.9As were also examined for comparison purposes. All simulations were carried out by using SimWindows program v. 1.5.0.