Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Influence of output conductance on characteristic frequencies of switch mode BUCK and BOOST converter

Janke W., Walczak M.

Archives of Electrical Engineering

|

2017

|

Vol. 66, nr 1

165--178

EN

Characteristic frequencies corresponding to poles and zeros of small-signal control-to-output transfer functions of popular DC-DC converters (BUCK and BOOST) are analyzed. The main attention is paid to influence of load conductance on the characteristic frequencies for converters working in continuous conduction mode (CCM) as well as in discontinuous conduction mode (DCM). Parasitic resistances of all converter components are included in calculations. In addition the improved description of CCMDCM boundary is presented. The calculations are verified experimentally and good consistency of the results is observed.

2

Small-signal input characteristics of step-down and step-up converters in various conduction modes

Janke W., Walczak M.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2016

|

Vol. 64, nr 2

265--270

EN

Small-signal input characteristics of BUCK and BOOST DC-DC power converters in continuous conduction and discontinuous conduction mode have been presented. Special attention is paid to characteristics in discontinuous conduction mode. The input characteristics are derived from the general form of averaged models of converters. The frequency dependence of input admittance and other input characteristics has been observed in a relatively low-frequency range. The analytical formulas derived in the paper are illustrated by numerical calculations and verified by experiments with a laboratory model of BOOST converter. A satisfying level of conformity of calculations and measurements has been obtained.

3

Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS

Trofimowicz D., Kordalski W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

191-194

PL

W artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasistatycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.

EN

This paper presents results of practical implementation of the Nelder-Mead simplex method in identifying the parameter values of nonquasi- static small-signal MOS transistor model. Equivalent circuit and mathematical model of a new small-signal MOSFET model for microwave frequencies are performed. The implemented algorithm is described and the results attained are demonstrated.

4

An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs

Tomaszewski D., Łukasik L., Zaręba A., Jakubowski A.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2000

|

nr 3-4

67-71

EN

A non-quasi-static model of partially-depleted SOI MOSFETs is presented. Phenomena, which are particularly responsible for dependence of device admittances on frequency are briefly described. Several C-V characteristics of the SOI MOSFET calculated for a wide range of frequencies, preliminary results of numerical analysis and of measurements and brief analysis of the results are presented. Methods of model improvement are proposed.

5

Nieizotermiczne parametry małosygnałowe elementów półprzewodnikowych

Stepowicz W. J., Zarębski J.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

1998

|

Vol. 44, nr 3

345-364

PL

Zjawiska termiczne wpływają w istotny sposób na własności i parametry elementów półprzewodnikowych oraz układów scalonych. Dotyczy to zarówno ich modeli sałoprądowych jak i modeli dla prądu zmiennego. W sytuacjach, kiedy zjawiska termiczne odgrywają istotną rolę, modele elementow różnią się zasadniczo, zarówno jakościowo jak i ilościowo, od ich odpowiedników znanych z klasycznej teorii nie uwzględniającej tych zjawisk. Z kolei, postać modeli elementów wpływa na parametrty robocze, określające własności funkcjonalne, układów elektronicznych skonstruowanych z wykorzystaniem tych elementów. W pracy przedstawiono metodę wyznaczania nieizotermicznych modeli małosygnałowych elementów półprzewodnikowych i pokazano takie modele dla wybranych elementów, uzyskane na podstawie tej metody. Na kilku przykładach zilustrowano wpływ nieizotermicznej postaci modeli małosygnałowych elementów na własności układów, a także przytoczono inne konsekwencje i korzyści wynikające ze stosowania takich modeli.

EN

The thermal phenomena influence models of semiconductor devices considerably; it concerns the d.c. characteristics and the small - signal circuits as well. In the well - known models the effect of the ambient temperature is only taken into account, and therefore these models can be denominated as isothermal. In fact, due to the selfheating phenomenon, the junction (inside) temperature differs from the ambient temperature. Under steady - state, the junction temperature rise above the ambient temperature depends on the thermal resistance of the device and on the dissipated power. Under any a. c. current or voltage exitation, the a. c. component of the junction temperature appears. The models including selfheating can be denominated as nonisothermal. In some cases in ICs, the mutual thermal interactions between the devices have to be taken into considerations, additionally. In this paper the a. c. nonisothermal small - signal models of some semiconductor devices are discoussed. Due to the thermal effects, in the low frequency range the small - signal nonisothermal parameters of the devices become complex. Since in this range the electrical inertia resulting in the diffusion and junction capacitances can be neglected, the thermal inertia leads to the small - signal circuits with the new capacitances and inductances. In the paper the influence of the nonisothermal small - signal parameters on the performance of some circuits: the voltage amplifier and current source is shown. As well, some results concerning the 1/f noise model of the pn diode are given, and a new method of the thermal resistance measurement sof the BJT, based on its nonisothermal uotput conductance, is presented.