Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: skaningowa mikroskopia rezystancji rozproszonej

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

Szyszka A., Paszkiewicz R, Szymański T., Tłaczała M.

Przegląd Elektrotechniczny

2018

R. 94, nr 8

21--24

W artykule przedstawiono budowę oraz funkcjonalność układu oświetlenia próbki zintegrowanego z sytemem mikroskopu ze skanujacą sondą. Układ ten umożliwia pobudzenie próbki promieniowaniem optycznym w trakcie pomiaru lokalnych właściwości elektrycznych metodami skaningowej mikroskopi potencjału powierzchniowego, skaningowej mikroskopi rezystancji rozproszonej oraz skaningowej mikroskopii pojemnośćiowej. Ma to na celu uzyskanie dodatkowych informacji o niejednorodnościach właściwości powierzchniowych stanach pułapkowych czyli o ich typie, położeniu w przerwie zabronionej oraz o czasach generacji/rekombinacji. Pierwsze eksperymenty przeprowadzone na zmodyfikownycm stanowisku Bruker Multimode V w trybie skaningowej mikroskopi pojemnościowej pozwoliły zaobserwować istnienie wpływu konstrukcji heterostruktury AlGaN/GaN/Si na właściwości defektów występujących w warstwie bariery AlGaN.

In the work the design assumptions, construction and performance of integrated illumination system for scanning probe microscope is presented. The system allows for optical stimulation of sample during measurements of local electrical properties by Scanning Potential Microscopy, Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. Illumination of semiconductor sample using various wavelengths allow to obtain additional information about type, energy position and generation/recombination processes connected electronic surface states. First experiments using Bruker Multimode V Nanoscope AFM equipped with this system working in Scanning Capacitance Microscopy Mode showed the influence of AlGaN/GaN/Si heterostructure construction on electronic properties of surface defects in AlGaN barrier layer.

Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych

Szyszka A., Macherzyński W., Prażmowska J., Wośko M., Stafiniak A., Gryglewicz J., Ramiączek-Krasowska M., Paszkiewicz B., Jankowski B., Ściana B., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

55-58

W pracy przedstawione zostały wyniki charakteryzacji lokalnych właściwości detektorów MSM (Metal-Semiconductor-Metal) oraz rezystancyjnych wytworzonych w warstwach GaN, struktur tranzystorów unipolarnych wykonanych w warstwach azotku galu, cienkich warstw metali katalitycznych, heterostruktur AlAs/AIGaAs/GaAs oraz powierzchni węglika krzemu wykonanych różnymi trybami mikroskopii sił atomowych. Badania zostały przeprowadzone metodami Skaningowej Mikroskopii Potencjału Powierzchniowego SSPM (ang. Scanning Surface Potential Microscopy), Skaningowej Mikroskopii Rezystancji Rozproszonej SSRM (ang. Scanning Spreading Resistance Microscopy) oraz obrazowania fazowego.

In this work characterization results of MSM (metal-semiconductor-metal) and resistive detectors fabricated in gallium nitride layers, GaN based unipolar transistors, thin catalytic metal layers, AlAs/AIGaAs/GaAs heterostructures and silicon carbide surface by various techniques of atomic force microscopy are presented. The examinations were performed by Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM), Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) and in phase imaging mode.