Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: skład chemiczny tlenkowych warstw pasywacyjnych

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera

Domanowska A., Klimasek A., Lisiecka E., Bidziński P., Adamowicz B., Szewczenko J., Taube A., Korwin-Mikke K., Gierałtowska S, Żywicki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

63-66

Zbadano rozkład zawartości pierwiastków w nanowarstwach pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera w funkcji czasu trawienia jonowego (Ar⁺): (i) na powierzchni stali nierdzewnej 316L (O i Cr) oraz (ii) w struklurze HfO₂/SiO₂/SiC zawierającej buforową nanowarstwę SiO₂(Hf i Si) Do analizy widm AES wykorzystano opracowaną procedurę numeryczną, która realizuje odejmowanie tła widma oraz dekompozycję - na bazie algorytmu ewolucyjnego - nakładających się złożonych linii pierwiastków, w badanych przypadkach odpowiednio: O KLL i Cr LMM oraz Hf MNN i Si KLL Na tej podstawie wyznaczono grubość warstw tlenkowych na ok. 5-6 nm.

Element content distribution in passivation nanofilms was examined using Auger electron spectromicroscopy (AES) versus ion sputtering time (Ar⁺): (i) at the 316L stainlees steel surface (O and Cr) and (ii) in the HfO₂/SiO₂/SiC structure containing SiO₂ buffer nanolayer (Hf and Si). Analysis of AES spectra was performed using an elaborated numerical procedure, which realizes the spectrum background subtraction and decomposition - using an evolutionary algorithm - of the overlapping lines in the examined cases of O KLL and Cr LMM as well as Hf MNN and Si KLL, respectively On this basis the passivation layer thickness was determined as about 5...6 nm.