Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Kwantowy wzorzec prądu elektrycznego

Dudek E., Orzepowski M., Tatar A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 6

35-38

PL

Obecna definicja jednostki prądu, wiążąca ampera z wielkościami nieelektrycznymi, nie jest możliwa do odtworzenia w warunkach laboratoryjnych. Od wielu lat dąży się do wprowadzenia nowej, opartej na zjawiskach kwantowych definicji, zakładającej przepływ określonej ilości ładunku w czasie. Intensywne prace nad stworzeniem kwantowego wzorca prądu elektrycznego dla proponowanej nowej definicji, skupiają się na budowie układu współpracujących ze sobą tranzystorów jednoelektronowych, które potrafiłyby zapewnić odpowiednio duży prąd z bardzo małą niepewnością. Autorzy przedstawili zasadę działania jednoelektronowego tranzystora SET, wyniki prac związanych ze zwielokrotnieniem obecnie otrzymywanego prądu wyjściowego oraz korzyści, jakie dla światowej metrologii przyniesie przedefiniowanie jednostki prądu elektrycznego.

EN

The definition of the electric current, which binds ampere with non-electrical quantities, can not be reproduced in the laboratory. Because of this, the new, based on quantum phenomena definition is wanted. Electric current should be defined as number of elementary charges transported in a period of time. Intensive work to develop a quantum standard for the proposed new definition focus on building a system of cooperating single-electron transistors with sufficiently large current and very little uncertainty. This paper gives a basic knowledge about quantum metrology triangle, single-electron transistor and primary current standards and also shows the advantages of redefinition the ampere.

2

Spin torque characteristics for the asymmetric non-collinearly polarized ferromagnetic single-electron devices

Kowalik M

Materials Science Poland

|

2008

|

Vol. 26, No. 4

971--975

EN

Spin-transfer torque due to spin polarized current, acting on the magnetic moment of a central electrode (island) of a single-electron ferromagnetic transistor has been theoretically calculated. The magnetic moments of the external electrodes are oriented non-collinearly with respect to the magnetic moment of the island. In an asymmetric situation under consideration, all the electrodes are made of various magnetic materials. The torque is calculated from the spin current absorbed by the island, and electric current flowing through the system is calculated in the sequential transport regime. The asymmetry in tunnelling processes leads to spin accumulation when the spin relaxation time is sufficiently long, which is also taken into account when calculating the spin torque.

3

Torque due to spin-polarized current in ferromagnetic single-electron transistors

Kowalik M., Wiśniewska J., Barnaś J.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

815--820

EN

Theoretical analysis of the current-induced torque acting on magnetic moment of the central part (island) of a ferromagnetic single-electron transistor has been carried out in the regime of sequential tunneling. The island is assumed to be ferromagnetic and attached to two leads (electrodes). One of the leads is ferromagnetic, and the corresponding magnetic moment is oriented arbitrarily. The torque is calculated from the spin current absorbed by the magnetic moment of the island, and the calculations are carried out in the limit of fast spin relaxation on the island (no spin accumulation).

4

Modelowanie kropek kwantowych

Mączka M.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2005

|

Vol. 51, z. 2

223--238

PL

Niniejszy artykuł dotyczy kropek kwantowych formowanych elektrostatycznie wewnątrz tranzystora jednoelektronowego. Przyrząd ten wytwarzany jest w oparciu o technologię bramek powierzchniowych z wykorzystaniem struktury ISIS (ang. Inverted Semiconductor Insulator Semiconductor). Praca jest kontynuacją badań nad doskonaleniem numerycznego modelu omawianego tu przyrządu i dotyczy uproszczenia polegającego na traktowaniu elektrod polaryzujących jako nieskończenie cienkie powierzchnie metaliczne. W niniejszej pracy przedstawiono wpływ grubości elektrod na rozkład potencjału w obszarze formowania kropki kwantowej w oparciu o nowy model przyrządu.

EN

The work concerns quantum dots formed electrostatically inside the single-electron transistors. These devices are produced with superficial gate technology in inverted semiconductor-insulator-semiconductor structure. M.A. Kastner [5] proposed the first such a device in 1991. The structure of the single-electron transistor In this article quantum dots are modeled with the use of the confined potential formed by electrostatic field. The numerical method of dissolving Poisson equation in these devices is described. The Method uses Boundary Elements. Potential distributions are calculated with the use potential density functions of the single layer. These functions physically are related to density of charge. In previous works in the calculations an infinitely thin polarizing electrodes were assumed. In the present paper the influence of electrodes thickness onto potential distributions is examined. This require the previous model to be renewed. In the work the comparison of potential distributions in old and new numerical model is presented. The numerical investigations of potential distributions, with the use of new model show, that the finite thickness of polarizing electrodes, to some extent changes the shape of the potential forming a quantum dot. This change depend on electrode, which is considered. Generally speaking confining potential is more sensitive to the thickness of upper electrodes than to thickness of electrodes of sources or drain.

5

Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs

Małachowska-Podsiadło E., Mączka M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

48-49

PL

Opisano stany elektronowe tranzystora jednoelektronowego (SET), formowanego w heterostrukturze GaAs/AlxGa1-xAs. Stany elektronowe są samouzgodnionymi rozwiązaniami równania Schrodingera w przybliżeniu Hartree. Rozkład potencjału w tranzystorze jest rozwiązaniem równania Poissona, dla danego zestawu napięć polaryzujących strukturę.

EN

In the work we present electron states of a single electron transistor (SET) formed in GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure. Electron states are selfconsistent solutions of Schrodinger equation, written within Hartree approximation. Potential distribution through the transistor is the solution of Poisson equation, for a given set of voltages, biasing the structure.

6

Metody mikroskopii bliskiego pola od mikro- do nanoelektroniki: diagnostyka, wytwarzanie

Gotszalk T., Sikora A., Kolanek K., Szeloch R., Szmidt J., Grabiec P., Rangelow I. W., Mitura S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

14-18

PL

Obserwowane obecnie tendencje w rozwoju systemów elektronicznych i tzw. mikrosystemów, które łączą w sobie zarówno funkcje przetwarzania sygnałów elektronicznych, jak i oddziaływań mechanicznych, chemicznych, itp. wyrażają się w znacznym zmniejszeniu tzw. wymiaru charakterystycznego do setek i dziesiątek nanometrów. W opracowaniu przedstawiono przegląd metod bliskiego pola zarówno w zastosowaniach diagnostycznych jak i technologicznych, które pozwalają zaspokoić skrajnie trudne warunki powstałe na drodze do nanoelektroniki, a ogólnie do nanotechnologii. Badania i wytwarzanie tego typu układów wymagają nowatorskiego podejścia, które musi uwzględniać prawa fizyki kwantowej.

EN

In last decades rapid progress in fabrication of integrated circuits and microsystems has been observed. Simultaneously novel problems connectec with measurements of such devices and microelectronical materials were defined. In our work we will describe the application of scanning probe microscopy based methods in measurements of physical properties of microelectronical devices and materials. We will present methdos and techniques, which were developed at the Faculty of Microsystem Electronic; and Photonics of Wroclaw University of Technology. In this experiments we used novel nearfield sensors and measurement electronics to describe quantitavely the surface properties. We will present preliminary results on fabrication of nanostructures, which can be applied as quantum electronical devices like: quantum points and single electron transistors.

7

Spin-dependent transport in ferromagnetic single-electron transistors with non-collinear magnetizations

Wiśniewska J., Weymann I., Barnaś J.

Materials Science Poland

|

2004

|

Vol. 22, No. 4

461--467

EN

Electronic transport in a ferromagnetic single-electron transistor is analysed theoretically in the sequential tunnelling regime. One of the external electrodes and the central part (island) of the device are assumed to be ferromagnetic, with the corresponding magnetizations being non-collinear. The analysis is based on the master equation method, and the respective transition rates are determined from the Fermi golden rule. It is shown that the electric current and corresponding tunnel magnetoresistance (TMR) strongly depend on the angle between the magnetizations. For an arbitrary magnetic configuration, TMR is modulated by charging effects, which give rise to characteristic dips (cusps) at the bias voltages corresponding to the Coulomb steps in the current-voltage characteristics.