Opracowano technologię monokrystalizacji mieszanych sillenitów Bi12Ti1-xPbxO20 (M = V, Ga, Pb, Cu) z rozbvorow wysokotemperaturowych metodą TSSG (Top Seeded Solution Growth - w wyniku wzrostu na zorientowanych zarodziach). Zbadano zależności temperaturowe fotoprzewodnictwa tych materiałów. W stosunku do najlepszych do tej pory znanvch fotoprzewodnikow sillenitowych właściwości fotoprzewodzące poprawiono o 4÷5 rzędów wielkość, w warunkach stałego oświetlenia. Udokumentowano zmiany oporności właściwej indukowane światłem w przedziale 15÷17 rzędów wielkości. Stwierdzono, że największe fotoprzewodmctwo występuje Bi12Ti1-xPbxO20 (x = 0,2). Jest ono związane z generacją ziaren metalicznych w Bi12Ti1-xPbxO20.
EN
Technology of mixed sillenites Bi12Ti,.xMxO20 (M = V, Ga, Pb, Cu) single crystal growth from high temperature solutions (Top Seeded Solution Growth - TSSG) has been developed. Temperature dependences of photoconductivity for these materials have been investigated. In comparison to known photoconducting sillenites, their photoconductivity was increased by 4-5 orders of maenitude. The changes of resistivity induced by illumination has been found to occur in the range of 15-17 orders of magnitude. The highest photoconductivity has been found in Bi12Ti1-xPbxO20 (x=0.2). It was connected with formation of metallic grains in Bi12Ti1-xPbxO20.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.