Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon-on-insulator technology

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Design and characterization of passive integrated photonic structures

Kaźmierczak A.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

2008

z. 115

39-49

In the paper the design and characterization of passive optical components for on-chip interconnections are shown. The presented devices are designed for fabrication in Silicon on Insulator (SOI) material platform. The analyzed devices include three types of optical add-drop filters based on microdisk resonators. Three topologies of filters are proposed, designed and characterized experimentally. Finally, the usefulness of proposed add-drop filters in integrated optical on chip interconnections networks is also discussed.

W pracy przedstawiono teoretyczną i eksperymentalną analizę pasywnych zintegrowanych układów fotonicznych wykonanych w technologii krzemowej. Szczególna uwagę poświęcono elementom WDM bazującym na koncepcji rezonatora mikrodyskowego, stosowanej w urządzeniach WDM w telekomunikacji optycznej.

Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego

Niemiec H., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kuta S., Machowski W., Sapor M., Szelezniak M., Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Kociubiński A., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

2003

Vol. 23, nr 10

19-24

Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.

New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.