Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon-carbide Schottky diodes

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

R. 87, nr 11

60-63

W referacie przedstawiono studium doboru tranzystorów do mostka wysokonapięciowego 300V na przykładzie prototypowego przekształtnika stosowanego do sprzęgania źródeł napięcia – podwójnego mostka aktywnego o wysokiej częstotliwości pracy 100 kHz. Jako kryterium oceny przyjęto minimalne straty energii występujące w łącznikach. Dla grupy wstępnie wyselekcjonowanych handlowych tranzystorów typu MOSFET oraz superszybkich IGBT wyznaczono i porównano straty energii w charakterystycznych warunkach pracy. Przy szacowaniu strat przewodzenia posłużono sie symulacjami na podstawie parametrów katalogowych natomiast przy wyznaczenia strat łączeniowych przeprowadzono badania laboratoryjne.

In this paper a study of the transistors selection suitable for a high voltage 300V bridge, being part of a laboratory prototype of a bidirectional dc/dc interface (DAB) working with the frequency of 100 kHz, is presented. The basis for this selection is the minimum energy lost in the inverter switches. For the group of fast switching IGBTs and different types of high voltage MOSFETs (as CoolMOS, MDmeshMOS and others) available in the market energy losses were estimated. In the case of conducting losses, the simulation model based on a data sheet parameter was used and the switching losses were measured in a laboratory.