Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon surface

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Study on etching anisotropy of Si(hkl) planes in solutions with different KOH and isopropyl alcohol concentrations

Rola K. P., Zubel I.

Materials Science Poland

2011

Vol. 29, No. 4

278--284

The paper deals with wet chemical anisotropic etching of Si(hkl) wafers in KOH solutions containing isopropyl alcohol. The impact of KOH and alcohol concentrations on the etch rates of (hkl) planes is shown. The effect of KOH concentration in pure KOH solutions resembles the one in KOH solutions non-saturated with alcohol and is different from the one in KOH solutions saturated with isopropanol. The increase in alcohol concentration in the etching solution generally reduces the etch rates of the selected (hkl) planes. However, when the alcohol concentration reaches the saturation level, the (100) and (311) etch rates increase. This is difficult to explain since the increased alcohol concentration should cause enhanced adsorption of the alcohol molecules on Si surface, as it is suggested by surface tension measurements. Thus, the denser adsorption layer should lead to the etch rate reduction. The influence of isopropanol concentration on the morphology of the (hkl) surfaces is also studied. The increase in the alcohol concentration leads to disappearance of hillocks on (100) and (h11) surfaces.

Wykorzystanie mikroskopii sił atomowych w badaniach nad formowaniem powierzchni krzemowych ogniw słonecznych

Waczyński K., Filipowski W., Panek P., Drabczyk K., Olechowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 1

83-86

Przedstawiono wyniki oceny wyglądu powierzchni krzemu mono i multikrystalicznego poddanego procesowi trawienia. Proces trawienia prowadzony byt w celu wytworzenia określonego typu tekstury lub utworzenia porów na powierzchni Si. Zabieg rozwinięcia powierzchni podłoży krzemowych jest podstawową operacją w technologii struktur fotowoltaicznych, umożliwiającą podniesienie sprawności przetwarzania energii w ogniwie. Do oceny wyglądu powierzchni wykorzystano mikroskop sił atomowych. Stwierdzono, że do poprawnej interpretacji uzyskanych obrazów konieczne jest wykonanie co najmniej kilku zdjęć tej samej powierzchni. Posługiwano się obrazami AFM: zmiennej siły inaczej błędu regulacji, obraz sił tarcia rejestrowany w kierunku skanowania, obraz sił tarcia rejestrowany przy ruchu powrotnym ostrza, topografii przedstawionej dwuwymiarowo, topografii przedstawionej trójwymiarowo. Uzyskane rezultaty potwierdziły przydatność testowanych mieszanin i procedur trawiących.

The article describes the assessment of the physical state of mono and multicrystalline silicon surface etached. Etaching was used to create a specific texture or macropores (so called acidic textre) on SI surface. The process of texturizing silicon wafers is one of the basic operations of photovoltaic structure technologies which improves the performance of light conversion into energy in a PV cell through the minimization of radiation reflection from the silicon surface. The study focuses only on the first stage of PV cell fabrication. An AFM microscope was applied to the assessment of the physical state of silicon surface. It has been found that the correct interpretation of resuits requires several different AFM images of the same surface. The images used in the study concerned: a) changeable force, b) side friction forces, c) side friction forces determined when the pin moves in the opposite direction, d) topography, e) 3-D topography. The results confirmed the usefulness of the mixtures and etching procedures employed.