Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon substrates

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wydrążone nanorurki kwarcowe zawierające nanopiłki palladu

Czerwosz E., Kowalska E., Radomska J., Wronka H., Kowalski W., Witkowski B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 4

13-15

Wydrążone nanorurki kwarcowe SiO2 z powodu optycznych właściwości mogą znaleźć zastosowanie, jako jednowymiarowe obiekty w urządzeniach optoelektronicznych, jako fotokatalizatory, nanosensory optyczne, chemiczne lub biologiczne oraz w innych urządzeniach nanoelektronicznych np. jako nośniki informacji. W pracy przedstawiamy sposób wytwarzania wydrążonych nanorurek kwarcowych, zawierających nanopiłki Pd. Metoda syntezy nanorurek kwarcowych polega na wygrzaniu w powietrzu w temperaturze 900°C nanodrutów krzemku palladu Pd2Si otrzymanych w procesie dwustopniowym PVD/CVD. Otrzymane nanorurki SiO2 są wydrążone, w wydrążeniu znajdują się nanozirna Pd o sferycznym kształcie nazwane przez nas nanopiłkami. Nanorurki mają średnicę zewnętrzną kilkudziesięciu nanometrów a długość od 1 do kilkudziesięciu μm.

Hollow silica nanotubes SiO2 due to the optical properties can be used as one-dimensional objectives in optoelectronic devices, as phootocatalysts, optical, chemical or biological sensors and in the other electronics devices as i.e. a data carrier. We present the method of obtaining hollow silica nanotubes containing palladium nanoballs. The method of preparations of these nanotubes consists on the annealing at the temperature of 900°C in the air atmosphere of Pd2Si nanorods. Such nanorods were firstly prepared by two steps PVD/CVD method. These hollow nanotubes contain inside Pd nanoballs. The eternal diameter of nanotubes is about few tens nm and their length changes from 1 to few tens of μm.

Narrow spectral band monolithic lead-chalcogenide-on-Si mid-IR photodetectors

Zogg H., Arnold M.

Opto-Electronics Review

2006

Vol. 14, No. 1

33-36

Narrow spectral band infrared detectors are required for multispectral infrared imaging. Wavelength selectivity can be obtained by placing passive line filters in front of the detectors, or, the preferred choice, by making the detectors themselves wavelength selective. We review the first photovoltaic resonant cavity enhanced detectors (RCED) for the mid-IR range. The lead-chalcogenide (PbEuSe) photodetector is placed as a very thin layer inside an optical cavity. At least one side is terminated with an epitaxial Bragg mirror (consisting of quarter wavelength PbEuSe/BaF2 pairs), while the second mirror may be a metal. Linewidths are as narrow as 37 nm at a peak wavelength of 4400 nm, and peak quantum efficiencies up to above 50% are obtained.