Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon solar cell third generation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakteryzacja krzemowych kropek kwantowych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu

Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

73-76

Przedmiotem pracy są krzemowe nanocząstki wytworzone w wielowarstwowej strukturze azotku krzemowego, która mogą być zastosowane w ogniwach słonecznych trzeciej generacji. Wielowarstwowe struktury azotku krzemu SiNx osadzono przy użyciu techniki RF PECVD. Krzemowe kropki kwantowe zostały wytrącone w warstwach SiNx z nadmiarem krzemu w wyniku ich wygrzewania w 1100°C. Widma fotoluminescencji wykazały przesunięcie maksimów PL w kierunku wyższych energii w wyniku wygrzewania w 1100°C wyniku krystalizacji krzemowych nanocząstek. Optyczne krawędzie absorpcji wielowarstwowych struktur kwantowych zostały oszacowane z wykresów Tauca.

The work concern silicon quantum dots Si QDs fabricated in multilayer structure of silicon nitride for third-generation solar cells application. The multilayer structures were deposited by RF PECVD method. The silicon quantum dots were precipitated from Si-rich layers SiNx due to high temperature annealing process at 1100°C. The photoluminescence spectra indicated the blue shift the maxima after annealing at 1100°C due to crystallization of silicon nanoparticles. The optical absorption edges of multilayers quantum structures were estimated by Tauc's plots.