Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon photodetector

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Różnicowy układ pracy fotodetektora promieniowania optycznego

Gilewski M.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 11

249-252

W publikacji przedstawiono koncepcję różnicowego układu pracy fotodetektora półprzewodnikowego. Zaproponowano nową strukturę układu zawierającą: jeden lub dwa fotodetektory, dwa wzmacniacze transimpedancyjne oraz różnicowy wzmacniacz wyjściowy. Proponowane rozwiązanie układu detekcji promieniowania jest bardziej czułe i mniej wrażliwe na zakłócenia niż pojedyńczy konwerter prąd - napięcie. W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych oraz wskazówki dotyczące rozwiązań aplikacyjnych.

This paper describes a differential detection circuit of optical radiation. The circuit contains: one or two silicon photodetectors, two transimpedance amplifiers and output differential amplifier. This solution of light detection is more sensitive and less susceptible to EMD than single transimpedance amplifier. The measurement results of the circuit are presented. At the final part the design recommendations are included.

Application of simulation tools for design of large area silicon photodetector technology

Jaroszewicz B., Tomaszewski D., Słysz W., Grabiec P., Jung W.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

129-136

Shallow p+-n junctions in silicon for ultraviolet range photodiode application are simulated using the ATHENA/SSUPREM4 software package and manufactured by means of double peak implantation of BF2+ions with energies and doses (10/34) keV and (1/3)x1015cm-2, respectively. The case of dual implantations of F+ ions followed by B+ ions with the energies and doses (34/7.6) keV and (2.5/3.0)x1015cm-2, respectively has been also investigated. The physical and electrical parameters of the photodiodes manufactured in different variants were simulated and tested.

Płytkie krzemowe złącza p+-n stosowane jako fotodiody na zakres ultrafioletu symulowano za pomocą oprogramowania ATHENA/SSUPREM4 oraz wytwarzano za pomocą podwójnej implantacji jonów BF2+ o energiach (10 i 34) keV oraz odpowiadającymi im dozami (1i 3)x1015cm-2. Badano również wariant, w którym przeprowadzono podwójną implantacje jonów F+, a następnie jonów B+ o energiach (34 i 7,6) keV oraz odpowiadającymi im dozami (2,5 i 3,0)x1015cm-2. Symulowano i testowano fizyczne i elektryczne parametry fotodiod wytworzonych w różnych wariantach.