Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Silicon oxides as alignment surfaces for vertically-aligned nematics in photonic devices

Oton E., López-Andrés S., Bennis N., Otón J. M., Geday M. A.

Opto-Electronics Review

|

2014

|

Vol. 22, No. 2

92-100

EN

A comparative study on alignment performance and microstructure of inorganic layers used for liquid crystal cell conditioning has been carried out. The study has focused on two specific materials, SiOx and SiO₂, deposited under different conditions. The purpose was to establish a relationship between layer microstructure and liquid crystal alignment. The surface morphology has been studied by FESEM and AFM. An analysis on liquid crystal alignment, pretilt angle, response time, contrast ratio and the conditions to develop backflow effect (significant rise time increase due to pure homeotropic alignment) on vertically-aligned nematic cells has been carried out. A technique to overcome the presence of backflow has been identified. The full comparative study of SiOx and SiO₂ layer properties and their influence over liquid crystal alignment and electrooptic response is presented.

2

Wykorzystanie reaktora fluidalnego do syntezy 2,6-dimetylofenolu

Jamanek D., Zielecka M., Wielgosz Z., Cyruchin K., Kępska B., Wenda M., Górska A., Krakowiak J., Łukomska A., Baran P.

Chemik

|

2014

|

Vol. 68, nr 5

468--477

PL

Prace badawcze dotyczyły otrzymywania i przetestowania katalizatorów do syntezy 2,6-dimetylofenolu, które mogłyby pracować jako złoże fluidalne. Zsyntezowano tlenek krzemu, na który nanoszono w różnych wariantach tlenki: żelaza(III), magnezu(II), chromu(III) i miedzi(II). Ponadto przebadano katalizator TZC-3/1 produkowany przez Grupę Azoty S.A. Tlenek krzemu z naniesionym na powierzchnię tlenkiem magnezu umożliwił prawie 100% przereagowanie fenolu w temp. 733K, przy selektywności w stosunku do 2,6-dimetylofenolu bliskiej 60%. Podobny stopień przereagowania fenolu otrzymano dla katalizatora przemysłowego TZC-3/1, ale jego selektywność względem 2,6-dimetylofenolu wynosi 90%. Wyniki eksperymentów wskazują, że najlepszym spośród badanych katalizatorów jest przemysłowy katalizator TZC-3/1 pozwalający otrzymać najlepsze wyniki w najniższej temperaturze.

EN

Research works were focused on obtaining and testing of catalysts for 2,6-dimethylphenol synthesis that could be used as fluidized bed. Silicon oxide was synthesized, on which subsequently various variants of iron (III), magnesium (II), chrome (III) and copper (II) oxides were deposited. Moreover, catalyst TZC-3/1 produced by Grupa Azoty SA was tested. Silicon oxide with deposited magnesium oxide allowed almost 100% conversion of phenol at 733K with selectivity towards 2,6-dimethylphenol equal to 60%. Similar degree of conversion for phenol was obtained for industrial catalyst TZC-3/1, but its selectivity towards 2,6-dimethylphenol was equal to 90%. Experimental results indicate that the best one among examined catalyst is the industrial catalyst TZC-3/1 that allows obtaining best results at lowest temperature.

3

Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O₂ i N₂O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS AI/SiO₂/4H-SiC

Król K., Kalisz M., Sochacki M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

22-25

PL

W pracy analizowano wpływ wygrzewania niskotemperaturowego w atmosferze O₂ i N₂O na rozkład przestrzenny azotu w warstwach dwutlenku krzemu (SiO₂) wytwarzanych metodą utleniania termicznego powierzchni podłoży z węglika krzemu typu n o polarności krzemowej - 4H-SiC (0001). Warstwy SiO₂, wytwarzano w atmosferze mokrego O₂ w temperaturze 1175°C. Po procesie utleniania wszystkie próbki zostały wygrzane w temperaturze 800°C w czasie 2 godzin lub 4 godzin w obecności różnych atmosfer gazowych (suchy N₂O lub suchy O₂), a następnie zostały wygrzane w azocie w procesie wysokotemperaturowym. Wykazano, że parametry utleniania i wygrzewania mają silny wpływ na parametry elektryczne kondensatorów MOS, co jest związane przede wszystkim ze zmianą rozkładu przestrzennego azotu w warstwie SiO2 w wyniku zastosowania różnych parametrów prowadzonych procesów termicznych. W pracy przedstawiono zależności pomiędzy parametrami prowadzonych procesów i parametrami elektrycznymi kondensatorów MOS.

EN

The effect of the n-type 4H-SiC (0001) oxidation followed by low temperature annealing in N₂O on nitrogen distribution in silicon dioxide was investigated. Specificalfy, the gate oxides were formed by oxidation in wet 0₂ at temperature of 1175°C. After oxidation process, all samples were annealed at temperature of 800°C for 2 or 4 hours using different atmospheres (dry N₂O or dry O₂) followed by high temperature annealing in nitrogen ambient. It was shown that the oxidation and annealing parameters have a strong impact on the behavior of electrical parameters of MOS capacitors using the oxides as gate dielectric what is probably an effect of nitrogen incorporation. The explanation of observed electrical properties is explained in the article.

4

Zastosowanie procesu zol-żel do pokrywania powierzchni włókien węglowych warstwą SiO2

Olszówka-Myalska A., Botor-Probierz A., Krzak-Roś J., Łukowiak A., Rzychoń T.

Kompozyty

|

2009

|

R. 9, nr 4

332-336

PL

Przedstawiono koncepcję zastosowania metody zol-żel do otrzymywania cienkich powłok SiO2 na włóknach węglowych w celu modyfikacji ich właściwości technologicznych pod kątem aplikacji w kompozytach z osnową metalową. Jako materiał węglowy użyto włókna FT 300B w postaci granulatu uzyskanego z włókien ciętych izometrycznie rozmieszczonych przestrzennie. Powłokę krzemionkową otrzymano, stosując metodę zol-żel. Hydrolizat SiO2 przygotowano z prekursorów metaloorganicznych (tetrametoksysilan, fenylotrietoksysilan). Do charakterystyki struktury warstwy wykorzystano metody skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM-FE HITACHI 4200-S i SEM HITACHI S-3400N z systemem EDS Thermo Noran System SIX) oraz rentgenowskiej analizy fazowej (JEOL JDX-7S). Stwierdzono możliwość uzyskania równomiernej powłoki na włóknach oraz tylko niewielki efekt sczepiania włókien powłoką. Analiza EDS potwierdziła obecność w powłoce krzemu i tlenu. Otrzymana powłoka o grubości ok. 100 nm charakteryzowała się budową amorficzną i nie obserwowano jej łuszczenia się ani odspajania do podłoża węglowego. Uzyskane wyniki wskazują na celowość weryfikacji przydatności powłoki w kształtowaniu mikrostruktury połączenia materiał węglowy-stopy metali.

EN

In the article the sol-gel technique was proposed for deposition of SiO2 layer on carbon fibers as a method for potential application in technology of metal matrix composites reinforced with carbon fibres. During the process of layer formation two silicon precursors the tetramethylorthosilicate (TMOS) and phenyltriethoxysilane (PhTEOS) and additionally the ethanol with the mol ratio as 1:0.8:5. (TMOS:PhTEOS:EtOH). Hydrolysate was deposited on the granules of FT 300B carbon fibers. Granules of short fibers with 3D isometric distribution were prepared from cutted roving of carbon fibers. The thin SiO2 layer was formed during immersion of carbon material in metaloorganic solution. After sol-gel process the macroscopic properties of carbon fibers granules were not changed and bridging effect was observed very seldom. Scanning electron microscopy (SEM-FE HITACHI 4200-S and HITACHI S-3400N with EDS Thermo Noran System SIX) and X-ray diffraction (JEOL JDX-7S) methods were used for structural investigations. The uniform, adherent and crack-free layer was formed. The thickness of a layer was estimated on the 100 nm level. The effect of fibers bridging was observed by SEM very seldom. The EDS results from the surface of coated fibers confirmed the signals of silicon and oxygen. By the XRD method no crystalline phase was identified. Therefore it can be concluded that the amorphous layer of SiO2 was deposited on the carbon fibers. It is in good agreement with own results for SiO2 sol-gel coatings without thermal stabilization deposited on silicon semiconductors and optical sensors and literature data for SiO2 coatings deposited on carbon fibers. Presented results showed the usability of sol-gel method for modification of carbon fibers surface by SiO2 nanosize coating.