Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Determination of growth kinetics and size dependent structural, morphological, optical characteristics of sol-gel derived silica nanoparticles in silica matrix

Uysal Bengü Özuğur, Tepehan Fatma Z.

Materials Science Poland

|

2019

|

Vol. 37, No. 1

16--24

EN

Nanocomposite silica thin films made using the sol-gel method were studied. The nano-silica films were prepared using a mixture of tetraethyl orthosilicate (TEOS), deionized water, ethanol, and ammonia solution. To control the growth of the particles inside the film, the nanocomposite silica film was prepared using a mixture of the nano-silica sol and the silica sol. The change in the particle size with the heat treatment temperature ranging from 450 °C to 1100 °C was investigated. X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), NKD (refractive index-N, extinction coefficient-K, and thickness-D) and ultraviolet-visible (UV-Vis) spectrophotometry were used for characterization purposes. The XRD studies showed that the nano-silica thin films were amorphous at all annealing temperatures except for 1100 °C. The α-cristobalite crystal structure formed at the annealing temperature of 1100 °C. Optical parameters, such as refractive indices and extinction coefficients, were obtained using the NKD analyzer with respect to the annealing temperature of the films. The activation energy and enthalpy of the nanocomposite silica film were evaluated as 22.3 kJ/mol and 14.7 kJ/mol, respectively. The cut-off wavelength values were calculated by means of extrapolation of the absorbance spectra estimated using the UV-Vis spectroscopy measurements. A red shift in the absorption threshold of the nanocomposite silica films indicated that the size of the silica nanoparticles increased with an increase of the annealing temperatures from 450 °C to 900 °C, and this confirms the quantum confinement effect in the nanoparticles.

2

W kierunku modyfikacji posadzek żywicznych nanododatkiem

Chowaniec A.

Nowoczesne Hale

|

2018

|

Nr 2

60--65

PL

W artykule przedstawiono podstawowe informacje na temat istotnych cech prawidłowo wykonanej posadzki przemysłowej, zwłaszcza posadzki żywicznej. Zaprezentowano również wstępne badania powłok na bazie żywicy epoksydowej modyfikowanej nanokrzemionką. Celem badań będzie sprawdzenie, czy SiO2 w postaci nanoproszku ma korzystny wpływ na przyczepność pomiędzy powłoką żywiczną a podkładem betonowym.

EN

The paper presents basic information on crucial features of properly laid industrial fl ooring, in particular resin fl ooring. A report on the initial research on epoxy resin coating modifi ed with nanosilica is also included. The main purpose of the research is to verify whether SiO2 in the form of nanodust has benefi cial infl uence on adhesion between resin coating and concrete base.

3

Potencjalne narażenie na nanocząstki ditlenku krzemu podczas rozpylania preparatu do zabezpieczenia lakieru samochodowego

Jankowska E.

Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka

|

2013

|

nr 11

16-19

PL

W artykule przedstawione zostały wyniki badania potencjalnego narażenia na nanocząstki ditlenku krzemu podczas rozpylania komercyjnie dostępnego preparatu Profilne Nano Paint Protect (PNPP). Preparat ten jest przeznaczony do zabezpieczania lakieru samochodowego i może być stosowany zarówno w zakładach usługowych, jak również przez użytkowników prywatnych Podstawą oceny potencjalnego narażenia na nanocząstki ditlenku krzemu były wyniki badań zmienności stężeń i rozkładów wymiarowych cząstek o wymiarach - od nanometrowych (10 nm) do mikrometrowych (10 µm) - czyli cząstek, które są z reguły wdychane przez człowieka. Stwierdzono, że podczas 10-sekundowego rozpylania preparatu w odległości 52 cm od powierzchni, na którą rozpylano preparat, występują znaczne wzrosty stężeń emitowanych cząstek.

EN

Potential exposure to nanoparticles during spraying of preparation for protecting car varnish The article presents results of investigation of potential exposure to silicon dioxide nanoparticles during spraying; of Commercially available preparation Profiline Nano Paint Protect (PNPP) This preparation is intended for protecting car varnish and can be applied both in repair shops as well as by private users. The base of assessing of potential exposure to silicon dioxide nanoparticles were results of investigation of changes of concentrations and size distributions of particles m the wide range- from nanometer-size (10 nm) to micrometer-size (10 µn) - it means particles which are usually inhaled by humans It was fined that during 10 seconds spraying of preparation in the distance of 52 cm from the surface, to which preparation was being sprayed, considerable increases of concentrations of emitted particles were obtained.

4

Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

Taube A., Korwin-Mikke K., Gutt T., Małachowski T., Pasternak I., Wzorek M., Łaszcz A., Płuska M., Rzodkiewicz W., Piotrowska A., Gierałtowska S., Sochacki M., Mroczyński R., Dynowska E., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

117-120

PL

W pracy przedstawiono wyniki charakteryzacji cienkich warstw tlenku hafnu wytwarzanych metodą ALD. Zbadano wpływ wygrzewania na parametry elektrofizyczne warstw HfO₂ oraz HfO₂/SiO₂ oraz wpływ zastosowania warstwy podkładowej na właściwości elektryczne struktur MIS z warstwa tlenku hafnu osadzoną na węgliku krzemu. Zastosowanie warstwy podkładowej z SiO₂ znacznie poprawiło parametry kondensatorów MIS na węgliku krzemu, zmniejszając prąd upływu oraz gęstość ładunku efektywnego w dielektryku. Zaobserwowano zwiększenie się pola przebicia do wartości 7.2 MV/cm. Wygrzewanie warstw HfO₂/SiO₂ w temperaturze 400°C zwiększyło ich niezawodność oraz zredukowało gęstość stanów powierzchniowych do 4×10¹¹ eV⁻¹ cm⁻². Wygrzewanie warstw HfO₂ w 400°C obniżyło prąd upływu przy jednoczesnym zwiększeniu względnej przenikalności elektrycznej.

EN

This work presents the results of characterization of thin hafnium oxide films fabricated by ALD. Effect of annealing on physical properties on HfO₂ and HfO₂/SiO₂ layers, as well as effect of introduction of pedestal layers on properties of 4H-SiC MIS capacitor was investigated. Introduction of SiO₂, pedestal layer improved properties of 4H-SiC MIS capacilors, causing decreasing of leakage current and effective charge density in the insulator. Electric breakdown field was increased from 4 7 to 7.2 MV/cm. Annealmg of HfO₂/SiO₂ layers m 400°C improved reliability and reduced density of interface traps. Annealing of HfO₂ - layers m 400°C caused decreasing of leakage current and increased of relative permittivity.

5

A stack multilayer high reflectance optical filter produced on polyester substrate with the PECVD technique

Kowalski J., Szymanowski H., Sobczyk-Guzenda A., Gazicki-Lipman M.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2009

|

Vol. 57, nr 2

171-176

EN

The present work reports results of an effort to produce a stack multilayer optical filter on a poly(ethylene terephtalate) (PET) substrate, using a PECVD technique. Titanium dioxide type of material (n550 = 2.3) has been selected for high refractive index layers while that of silicon dioxide type (n550 = 1.4) served as low refractive index films. For a synthesis of the former material, titanium tetrachloride with an excess of gaseous oxygen was taken as a precursor system, and a mixture of oxygen and hexamethyldisiloxane (HMDSO) was used as a precur-sor system for a deposition of the latter one. The entire deposition process was carried out in the same parallel plate PECVD reactor, with all the consecutive layers being synthesized in one vacuum run. In the first part of the work, the deposition processes of both types of materials were optimized separately using polyester film as a substrate. The main goal of this step was to obtain high refractive index and low refractive index materials of good optical quality, remaining as close as possible to that of, respectively, titanium dioxide and silicon dioxide, without jeopardizing the optical quality of the polymer support. A construction of the filter was the next stage of the work. The design concerned high reflectance (HR) type filter consisting of five high refractive index layers, separated by four low refractive index films. Before an actual deposition, a performance of such system had been simulated, using the TFCalcTM 3.5 optical software. As a final step, the real structure, consisting of nine films, was produced, and the optical properties of the so obtained filter have been compared with those of the simulated system.

6

Modeling of negative bias temperature instability

Grasser T., Selberherr S.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2007

|

nr 2

92-102

EN

Negative bias temperature instability is regarded as one of the most important reliability concerns of highly scaled PMOS transistors. As a consequence of the continuous downscaling of semiconductor devices this issue has become even more important over the last couple of years due to the high electric fields in the oxide and the routine incorporation of nitrogen. During negative bias temperature stress a shift in important parameters of PMOS transistors, such as the threshold voltage, subthreshold slope, and mobility is observed. Modeling efforts date back to the reaction-diffusion model proposed by Jeppson and Svensson thirty years ago which has been continuously refined since then. Although the reaction-diffusion model is able to explain many experimentally observed characteristics, some microscopic details are still not well understood. Recently, various alternative explanations have been put forward, some of them extending, some of them contradicting the standard reaction-diffusion model. We review these explanations with a special focus on modeling issues.

7

Przebieg procesu strącania drobnoziarnistej krzemionki w pętlicowym kolumnowym reaktorze barbotażowym

Kawalec-Pietrenko B., Konopacka-Łyskawa D.

Inżynieria Chemiczna i Procesowa

|

2004

|

T. 25, z. 3/2

1089-1094

PL

Zaproponowano wytwarzanie drobnoziarnistej krzemionki z metakrzemianu sodu w reaktorze airlift z dwutlenkiem węgla jako gazem kształtującym hydrodynamikę reaktora oraz pełniącym jednocześnie rolę reagenta. Na krzywej zależności lepkości pozornej zawiesiny krzemionki od czasu reakcji zaobser-wowano maksimum. Położenie maksimum zależy od prędkości przepływu dwutlenku węgla oraz od stężenia początkowego krzemianu sodu.

EN

Fine-grained silicon dioxide particles are obtained in the draft-tube airlift reactor during the reaction jfthe sodium silicate with the gaseous carbon dioxide. Carbon dioxide is not only the reagent but also influences the hydrodynamic characteristics of the reactor. The maximum was found on the curve of the apparent viscosity dependence on the reaction time. The abscissa of the maximum depends on the carbon dioxide flow ratę as well as on the initial concentration of the sodium silicate.

8

Warstwy termiczne SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS

Sochacki M., Łukasiewicz R., Szmidt J., Rzodkiewicz W., Leśko M., Wiatroszak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

9-10

PL

Praca dotyczy wytwarzania warstw SiO2 i SiNxOy metodą termiczną na podłożach 4H-SiC. Na podstawie pomiaru wysokoczęstotliwościowej charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (HF C-V) zostały wyliczone: napięcie płaskich pasm, ładunek efektywny, średnia gęstość stanów pułapkowych, domieszkowanie podłoża. Wartości otrzymanych parametrów wskazują na możliwość zastosowania badanych warstw jako dielektryka bramkowego lub do pasywacji przyrządów mocy typu MS i MIS wytwarzanych na podłożach 4H-SiC.

EN

The thermal oxidation and nitridation of 4H-SiC surface was carried out. Flat-band voltage, equivalent oxide charge, average interface-state density and epitaxial layer doping were extracted from the HFcapacitance-voltage curves. Satisfactory electrical parameters of films indicate a possibility of application as a gate insulator for MIS devices and also for passivation and as an edge termination for power MS and MIS devices.

9

Jonitowe odkrzemianie wody kotłowej

Kaleta J.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2003

|

z. 35 [204]

107-113

PL

Krzemionkę usuwano z wody, stosując następujący układ technologiczny: kationit silnie kwaśny + anionit słabo zasadowy + anionit silnie zasadowy. Efektywność zastosowanych procesów była bardzo duża; krzemionkę usuwano do ilości śladowych. Zdolność wymienna kationitu silnie kwaśnego wyniosła 4,5 mval/g, natomiast zdolność wymienna anionitu silnie zasadowego w odniesieniu do krzemionki wyniosła 0,6 mval/g. Oczyszczona w ten sposób woda odpowiada wymaganiom stawianym kotłom wysokoprężnym.

EN

Silicon dioxide is removed from water using the following technological configuration: strongly acidic cation exchanger + weakly basie anion exchanger + strongly basie anion exchanger. The effectiveness of the employed process was very high; silicon dioxide was redu-ced to trace amounts. The exchange capacity of the strongly acidic cation exchanger was 4,5 mval/dm3, while the exchange capacity of the strongly basie anion exchanger with respect to silicon dioxide was 0,6 mval/dm3. Water purified in this manner fulfills the stated reąuirements for supply to high-pressure boilers.

10

Time-dependent slurry viscosity of fine-grained silicon dioxide particles

Kawalec-Pietrenko B., Konopacka-Łyskawa D.

International Journal of Applied Mechanics and Engineering

|

2003

|

Vol. 8, no spec.

259-264

EN

The silicon dioxide particles are obtained as a result of chemical reaction of the sodium silicate in the aqueous glycol solytion with the gaseous carbon dioxide supplying the reaction mixture in the riser of the draft-tube airlift reactor. It is observed the viscosity changes during the reaction time. It is noticed that the gas flow rate influence distinctly the start moment of the reaction as well as the suspension viscosity course during the reaction i.e. gas supplying duration.

11

Copolymerization of ethylene with 1-hexene over supported zirconocene catalysts

Echevskaya L. G., Zakharow V. A., Semikolenowa N. V., Mikenas T. B.

Polimery

|

2001

|

T. 46, nr 1

40-43

EN

Two supported zirconocene catalysts were prepared: (I) SiO2/MAO/Me2Si(Ind)2ZrCl2 (0.1 wt. % Zr, 9.0 wt. % Al) and (II) MgCl2/Me2Si(Ind)2ZrCl2 (0.2 wt. % Zr, 1.6 wt. % Al). Ethylene was homopolymerized and copolymerized with 1-hexene (70-90°C, 6 bar, TIB A as cocatalyst) over (I) and (II). Catalyst (I) incorporated the comonomer as much as did the homogeneous catalyst of the same composition. MgCl2 used as support resulted in reduced copolymerization reactivity of the catalyst. Copolymer crystallinity and catalyst activity were studied in relation to the concentration of 1-hexene.

PL

Zbadano przebieg procesów homopolimeryzacji etylenu i kopolimeryzacji etylenu z 1-heksenem wobec układów katalitycznych SiO2/MAO/Me2Si(Ind)2ZrCl2 + TIBA (układ I, gdzie MAO = metyloaluminoksan, Ind = indenyl, TIBA = triizobu-tyloglin) oraz MgCl2/Me2Si(Ind)2ZrCl2 + MAO (układ II) w temp. 70-90°C (tabele 1-3, rys. 1 i 2). Wprowadzenie 1-heksenu jako komonomeru znacznie zwiększa katalityczną aktywność układu I oraz zmniejsza stopień krystaliczności produktu. Wzrost stężenia 1-heksenu w kopolimeryzacji wobec układu II powoduje zmniejszenie aktywności katalizatora. Określono też wpływ rodzaju nośnika (SiO2 lub MgCl2) na współczynnik reaktywności etylenu (r1) w kopolimeryzacji (tabela 4); jest on większy w przypadku zastosowania MgCl2.