Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon control rectifier

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora i szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora

Półtorak B., Szatkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 5

79-84

Miniaturyzacja układów scalonych powoduje pojawienie się zjawisk fizycznych, które mogą powodować uszkodzenia układów. Zjawiskiem takim jest szybkie zatrzaskiwanie się pasożytniczego tyrystora. Zjawisko to do tej pory nie było opisywane w literaturze polskojęzycznej, dlatego będzie tutaj przybliżone zaczynając od wytłumaczenia zatrzaskiwania się układów (Latch-up) wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników, a następnie zostanie wytłumaczone szybkiego zatrzaskiwania się pasożytniczego tyrystora wewnętrznego i zewnętrznego, jak i pozytywnego i negatywnego wstrzykiwania nośników. Opisane będą również impulsy wywołujące zjawisko zatrzaskiwania się pasożytniczych tyrystorów.

Miniaturization of Integrated Circuits is a source of physical effects that can cause damages inside operating IC.. One example of such a phenomena is transient latch-up. This phenomena was not described in polish language literature and wil be described in in this paper. We will start from explaining internal and external latch-up effect where positive and negative injection will be considered. In the next steps internal and external transient latch-up phenomena will be described where positive and negative injection will be considered.