Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon carbide transistors

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym

Czyż P., Cichowski A., Śleszyński W.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

2017

Nr 57

17--20

Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.

In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.

A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors

Rąbkowski J.

Archives of Electrical Engineering

2013

Vol. 62, nr 2

333--343

The paper discusses the application of the current-source concept in the gate drivers for silicon carbide transistors. There is a common expectation that all SiC devices will be switched very fast in order to reach very low values of switching energies. This may be achieved with the use of suitable gate drivers and one of possibilities is a solution with the current source. The basic idea is to store energy in magnetic field of a small inductor and then release it to generate the current peak of the gate current. The paper describes principles of the current-source driver as well as various aspects of practical implementation. Then, the switching performance of the driven SiC transistors is illustrated by double-pulse test results of the normally-ON and normally-OFF JFETs. Other issues such as problem of the drain-gate capacitance and power consumption are also discussed on the base of experimental results. All presented results show that the currentsource concept is an interesting option to fast and efficient driving of SiC transistors.