Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon carbide semiconductor devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 11a

229-231

Praca dotyczy wpływu doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck. Zaprezentowano konstrukcję trzech układów testowych z przetwornicami buck zawierającymi elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu lub z węglika krzemu oraz układy sterujące. Przedstawiono wyniki pomiarów skonstruowanych układów oraz przedyskutowano różnice w przebiegu charakterystyk badanych przetwornic buck zawierających diody Schottky’ego oraz tranzystory polowe wykonane z rozważanych materiałów.

The paper refers the influence of the selection of semiconductor devices on characteristics of the buck converter. The constructions of three investigated circuits with the buck converters containing semiconductor devices produced from the silicon or from the silicon carbide were presented. Some results of measurements of the investigated circuits are shown. The differences observed between the course of the measured characteristics obtained for the investigated buck converters including the Schottky diodes and the field effect transistors manufactured from the considered materials, are discussed.