Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2009

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon carbide Schottky diode

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Badania właściwości trójfazowego przekształtnika sieciowego PWM z diodami zwrotnymi z węglika krzemu

Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J., Grzejszczak P.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 12

199-203

Wprowadzane są na rynek przyrządy półprzewodnikowe - łączniki mocy wykonane z węglika krzemu. Niezależnie od właściwości termicznych predestynujących je do zastosowań wysokotemperaturowych, bada się celowość ich zastosowania w obszarach typowych dla przyrządów krzemowych. Diody Schottky’ego z węglika krzemu zastosowane jako diody zwrotne w przekształtnikach PWM z uwagi na właściwości zapewniają zmniejszenie strat łączeniowych. Celem pracy jest przestawienie wyników obliczeń i pomiarów laboratoryjnych obrazujących na przykładzie 5 kVA modelu jakie wymierne korzyści wynikają dzięki zastosowaniu diod z węglika krzemu. Możliwe jest w takim przypadku zwiększenie częstotliwości łączeń i uzyskanie związanych z tym korzystniejszych parametrów konstrukcyjnych układu.

New semiconductor devices – power switches made from silicon carbide - have been available in the market for some years. Independently from specific thermal features which predestine these for high temperature applications, the possible replacing of common silicon devices with this new silicon-carbide switches is being investigated. The implementation of SiC - Schottky reverse conducting diodes instead of PiN diodes in one- and three-phase PWM converters, thanks to theirs switching properties, should result in the reduction of power losses. The objective of the paper is to present calculations of results as well as laboratory measurements of three-phase 5 kVA PWM converter power losses for two cases: converter with superfast PiN diodes and converter with SB - SiC diodes. Possible benefits ensure by lower switching losses thanks to SiC SB diodes application are pointed.

Przekształtniki energoelektroniczne z elementami z węglika krzemu

Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 6

7-12

Dzięki wysokiej dopuszczalnej wartości napięć wstecznych diody Schottkyego z węglika krzemu mogą znaleźć zastosowanie jako diody zwrotne w typowych układach energoelektronicznych. W celu porównania właściwości ultraszybkich standardowych diod krzemowych PiN i diod Schottkyego z węglika krzemu opracowano model symulacyjny trójfazowego przekształtnika PWM zawierającego łączniki złożone z tranzystorów IGBT i diod zwrotnych. Badania symulacyjne ukierunkowano na wyznaczenie strat mocy wydzielanych w łącznikach w przypadku, gdy dioda zwrotna jest wykonana z krzemu lub z węglika krzemu. Wyniki obliczeń wskazują, że całkowita moc strat we wszystkich łącznikach jest mniejsza w przypadku zastosowania diod Schottkyego z węglika krzemu. Wykonano model laboratoryjny trójfazowego przekształtnika PWM o mocy 5 kVA przeznaczony do badań eksperymentalnych w celu pomiaru i porównania całkowitej mocy strat w przypadku zastosowania w układzie diod krzemowych i z węglika krzemu. Zbudowany przekształtnik jest przewidziany do połączenia z siecią 3 x 400 V/50 Hz i może pełnić funkcją prostownika, kompensatora a także falownika (przekazywanie energii do sieci).

Thanks to high reverse voltage, the silicon carbide Schottky Barrier Diode can be applied as anti-parallel diode in a two-switch leg being the most popular PWM converter sub-circuit. In order to compare the standard ultrafast silicon PiN diode and silicon-carbide Schottky Barrier Diode, the simulation model of three phase PWM converter consisting of IGBT and diodes was investigated. Simulations were carried out to calculate the power losses in two cases: firstly, if the anti-parallel diode is mad e with silicon, and secondly, if the diode is made of silicon carbide. The results obtained by simulations confirm that the total power losses in all switches are smaller when the silicon-carbide Schottky Barrier diodes are used. The experimental 5 kVA three phase PWM converter was built to prove and compare by laboratory measurement the total power in the cases when the silicon and silicon carbide diodes are used. The converter is designed for standard line voltages (3 x 400 V/50 Hz) and is capable to work as rectifier, compensator or inverter (i.e. drawing energy to the line).