Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon carbide Schottky barier diodes

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy

Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 7-8

25-30

Przedstawiono metodykę oraz przykładowe wyniki pomiarów podstawowych parametrów półprzewodnikowych przyrządów - łączników mocy z uwzględnieniem rzeczywistej temperatury struktury. Celem tych pomiarów jest porównanie wskaźników energetycznych charakteryzujących łączniki zbudowane z zastosowaniem tylko przyrządów krzemowych oraz łączniki zbudowane z zastosowaniem przyrządów krzemowych i węglikowo-krzemowych. Wskazano korzyści wynikające z zastąpienia diody krzemowej typu PiN współpracującej z tranzystorem IGBT przez diodę węglikowo krzemową typu Schottky. Zmniejszenie strat w tego rodzaju komponowanych łącznikach wynika głównie z braku ładunku przejściowego w diodach SiC typu Schottky.

The methodology and example results of laboratory investigation of representative samples of semiconductor silicon and silicon-carbide power devices are presented. Very important part of this investigations was exact determination of junction temperature. The main goal of this laboratory test was comparison of energy loss ratings of semiconductor power switches built as traditional composition of silicon PiN diode and IGBT or silicon-carbide Schottky diode with the same IGBT. The advantage of mixed silicon - silicon-carbide par are indicated which results from negligible reverse recovery charge of Schottky diodes.