Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2004

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: silicon active area

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Pomiar termicznego stanu przejściowego jako metoda obliczania aktywnej powierzchni krzemu

Kawka P., De Mey G., Napieralski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 1

33-35

Przedstawiono prostą metodę pomiaru aktywnej powierzchni krzemu dowolnego elementu elektronicznego. Metoda jest bezinwazyjna i może być zastosowana do dowolnego urządzenia, jeśli tylko występuje w nim złącze p-n. Opiera się ona na pomiarze odpowiedzi termicznej elementu. Układ poddany jest wymuszeniu jednostkowemu mocy, w wyniku czego następuje nagrzewanie się elementu. Wartość napięcia na złączu p-n przeliczana jest na temperaturę. Na podstawie przebiegu nieustalonego temperatury tworzona jest sieć termiczna RC.

The article presents a simple method of calculating active silicon area of an electronic device. The method is non-invasive one and can be applied to any electronic device where a p-n junction exists. The method is based on a basic thermal transient measurement of p-n junction (voltage converted to temperature). Extracting values of thermal resistance and capacity of the RC ladder, the silicon area where the heat is dissipated can be calculated.